发明名称 用于生长单晶金属的方法和装置
摘要 公开了生长金属大单晶的方法。最初在非氧化性环境中将多晶态的金属样品加热。然后将最小塑性应变施加于加热的金属样品,以引发加热的金属样品内选择的晶粒生长。随后将另外的塑性应变施加于加热的金属样品,以使选择的晶粒蔓延生长,变成大单晶。
申请公布号 CN101213318B 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN200680024342.0 申请日期 2006.05.03
申请人 智慧投资控股40有限公司 发明人 J·R·丘利克;E·M·塔尔夫
分类号 C22C45/00(2006.01)I;C30B13/20(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C21D8/12(2006.01)I 主分类号 C22C45/00(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 吴立明;陈宇萱
主权项 一种用于生长单晶金属的方法,所述方法包括:在非氧化性环境中加热多晶的金属样品,其中所述金属样品在0.55至0.8Tm之间加热,其中Tm为所述多晶的金属样品的熔融温度;将最小塑性应变施加于所述加热的多晶的金属样品,以引发所述加热的多晶的金属样品的选择的晶粒生长;和随后将另外的塑性应变施加于所述加热的多晶的金属样品,以使所述选择的晶粒蔓延生长,形成所述单晶金属。
地址 美国内华达州