发明名称 |
用于生长单晶金属的方法和装置 |
摘要 |
公开了生长金属大单晶的方法。最初在非氧化性环境中将多晶态的金属样品加热。然后将最小塑性应变施加于加热的金属样品,以引发加热的金属样品内选择的晶粒生长。随后将另外的塑性应变施加于加热的金属样品,以使选择的晶粒蔓延生长,变成大单晶。 |
申请公布号 |
CN101213318B |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN200680024342.0 |
申请日期 |
2006.05.03 |
申请人 |
智慧投资控股40有限公司 |
发明人 |
J·R·丘利克;E·M·塔尔夫 |
分类号 |
C22C45/00(2006.01)I;C30B13/20(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C21D8/12(2006.01)I |
主分类号 |
C22C45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
吴立明;陈宇萱 |
主权项 |
一种用于生长单晶金属的方法,所述方法包括:在非氧化性环境中加热多晶的金属样品,其中所述金属样品在0.55至0.8Tm之间加热,其中Tm为所述多晶的金属样品的熔融温度;将最小塑性应变施加于所述加热的多晶的金属样品,以引发所述加热的多晶的金属样品的选择的晶粒生长;和随后将另外的塑性应变施加于所述加热的多晶的金属样品,以使所述选择的晶粒蔓延生长,形成所述单晶金属。 |
地址 |
美国内华达州 |