| 发明名称 | 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有第一二极管(102)和第二二极管(103)，且第一二极管(102)和第二二极管(103)的导通方向相反。本发明提供的CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路，对CMOS集成电路中敏感的逻辑门电路进行抗辐照加固，在集成电路面积和速度之间折中，明显提高了CMOS集成电路抗单粒子翻转的水平。 | ||
| 申请公布号 | CN102117797B | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN200910244523.X | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路，其特征在于，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有第一二极管(102)和第二二极管(103)，且第一二极管(102)和第二二极管(103)的导通方向相反。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||