一种基于SOI衬底的BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于SOI衬底的BiCMOS集成器件及制备方法，首先在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，淀积介质层，制备集电区浅槽隔离和基区浅槽隔离，光刻集电区并磷离子注入，形成集电极接触区，光刻基区并硼离子注入，形成基极接触区，形成SiGe HBT器件；光刻NMOS和PMOS器件有源区沟槽，在有源区沟槽中分别连续生长Si缓冲层、渐变SiGe层、固定组分SiGe层、N型应变Si沟道层和Si缓冲层、渐变SiGe层、固定组分SiGe层、应变Si P-LDD层、应变Si沟道层、应变Si P-LDD层等，制备PMOS器件漏极和栅极，形成PMOS器件；制备NMOS器件栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件，构成BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点，在600～800℃，制备出了性能增强BiCMOS集成电路。

主权项

一种基于SOI衬底的BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件和PMOS器件均为应变Si MOS器件，双极器件为SOI SiGe HBT。