硅光电倍增探测器结构、制作及使用

摘要

本发明涉及采用与APD单元相连的衬底体电阻来制备硅光电倍增探测器(SiPM)的雪崩淬灭电阻，其目的是为了解决SiPM的探测效率与动态范围不可兼顾的矛盾，可以在保证高探测效率的同时依然保证高的动态范围。提出采用铝诱导非晶硅晶化方法制备雪崩淬灭电阻，以简化SiPM的制作工艺。提出采用“叉指”型双子SiPM器件结构及其双路符合测量光信号的方法，以期克服SiPM暗计数率较高的问题。

主权项

一种硅光电倍增探测器(SiPM)，由10至10万个雪崩光电二极管(APD)单元集成在同一个硅外延片上组成，每个APD单元都串联一个雪崩淬灭电阻，雪崩淬灭电阻由所述硅外延片外延层制备，所有APD单元并联输出，共用一个负载，其特征是：所述硅外延片外延层的电阻率与其厚度的乘积为0.04Ω·cm2至25Ω·cm2。