| 发明名称 | 用于等离子体处理反应腔的射频屏蔽装置 | ||
| 摘要 | 一种用于等离子体处理反应腔的射频屏蔽装置，所述等离子体处理反应腔包括反应腔壳体，所述反应腔壳体上设置有空洞，其中，所述射频屏蔽装置设置在所述反应腔壳体上并至少部分覆盖所述空洞，所述射频屏蔽装置由导电弹性体材料制成。本发明还提供了一种包括上述射频屏蔽装置的等离子体处理系统以及一种用于等离子体处理反应腔的射频屏蔽方法。采用本发明的射频屏蔽机制，能够更好的进行射频屏蔽，并且安装/拆卸方便，节省反应腔空间。 | ||
| 申请公布号 | CN102737934A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201110084569.7 | 申请日期 | 2011.04.06 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 吴狄;彭帆;宋晓宏;周旭升 |
| 分类号 | H01J37/16(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 张静洁;张妍 |
| 主权项 | 一种用于等离子体处理反应腔的射频屏蔽装置，所述等离子体处理反应腔包括反应腔壳体，所述反应腔壳体上设置有空洞，其特征在于，所述射频屏蔽装置设置在所述反应腔壳体上并至少部分覆盖所述空洞，所述射频屏蔽装置由导电弹性体材料制成。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||