| 发明名称 | 半导体PN交叠结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种半导体PN交叠结构及其制造方法，该方法包含：提供一基板；提供一第一光罩，以在该基板上定义一P型(或N型)阱区及一交叠区；将P型(或N型)杂质植入该P型(或N型)及该交叠区；提供一第二光罩，具有至少一开口，用以在该基板上定义一N型(或P型)阱区，以及用以在该交叠区中定义至少一双重植入区；于该N型(或P型)阱区中及该至少一双重植入区中植入N型(或P型)杂质，使得该至少一双重植入区具有N型及P型杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN102738208A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201110086651.3 | 申请日期 | 2011.04.01 |
| 申请人 | 立锜科技股份有限公司 | 发明人 | 黄宗义;黄建豪;林盈秀 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种半导体PN交叠结构，其特征在于，包含：一基板；一P型阱区，位于该基板中；一N型阱区，位于该基板中；以及一交叠区，介于该P型阱区与该N型阱区之间，该交叠区包括：至少一双重植入区，具有P型杂质及N型杂质；及至少一单植入区，具有P型杂质或N型杂质。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市 | ||