| 发明名称 | 一种太阳能电池栅电极的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳能电池栅电极的制备方法，首先制备具有栅线图形的碳化硅模版，然后将碳化硅模版与太阳能电池基片对准且贴紧固定，应用物理气相淀积法制备栅电极。该方法应用的模版材料PECVD-SiC应力小，制备的电池栅电极线宽得到了保证，因此减小了表面覆盖率；制备电极的过程影响因素较少，便于精确控制；工艺简单，提高了生产效率；SiC材料耐腐蚀性强，模版一次制得后可重复利用，降低了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102738300A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210187289.3 | 申请日期 | 2012.06.07 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 张海霞;彭旭华;唐伟;张晓升;孟博 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 李稚婷 |
| 主权项 | 一种太阳能电池栅电极的制备方法，首先制备具有栅线图形的碳化硅模版，然后将碳化硅模版与太阳能电池基片对准且贴紧固定，应用物理气相淀积法制备栅电极。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||