发明名称 一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法
摘要 一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法,它将硅(100)单晶片置于多微球的多点接触板垂直下方位置,再使硅片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触,并达到一定接触载荷F;使多点接触板和硅片按照既定轨迹相对运动,进行刻划;刻划后,将硅片放入质量分数为15~25%的KOH溶液中腐蚀一段分钟,即可得到具有预先设定结构的纳米压印硅模具。该方法在多点接触模式下进行,可以方便地控制所加工纳米压印硅模具的图案、排列方式等;刻划过程中硅片与多点接触板始终保持平行状态。该方法的设备和原材料成本低,操作简便、步骤简单,能一次性完成大面积的硅(100)单晶片纳米压印模具加工,具有明显的低成本、高效率的特点。
申请公布号 CN102736410A 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN201210237432.5 申请日期 2012.07.10
申请人 西南交通大学 发明人 钱林茂;宋晨飞;吴治江;郭剑;余丙军;周仲荣
分类号 G03F7/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 成都博通专利事务所 51208 代理人 陈树明
主权项 一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法,其步骤是:(1)将硅(100)单晶片置于多点接触板垂直下方位置,再使硅(100)单晶片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触,并达到设定的接触载荷F;其中,多点接触板的具体构成是:基底上固定有多个曲率半径为500nm~250μm的微球,多个微球的顶点处于同一平面上;(2)在设定的接触载荷F下,使多点接触板和硅(100)单晶片按照设定轨迹相对运动,使多点接触板对硅(100)单晶片进行刻划;(3)刻划完成后,使硅(100)单晶片脱离多点接触板,再将硅(100)单晶片放入质量分数为15~25%的KOH溶液中,腐蚀3~8分钟,即得到具有设定结构的硅(100)单晶片纳米压印模具。
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