| 发明名称 | 一种PN结结深测算方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：a)测量阱区方阻；b)在阱区中形成结型场效应晶体管，改变栅极电压并测量源漏电阻；c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案通过电学测量对PN结结深予以测算，简单易行，可重复性好。 | ||
| 申请公布号 | CN102738030A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210212571.2 | 申请日期 | 2012.06.21 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：a)测量阱区方阻；b)在阱区中形成结型场效应晶体管，改变栅极电压并测量源漏电阻；c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||