发明名称 |
一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法,包括:选择外延片,在外延片上涂光刻胶,对外延片腐蚀出台面,形成源漏沟道,其中同一行的源极在光刻时连在一起;在源极和漏极蒸镀电极,进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触;蒸镀透明电极,在源漏电极之间光刻出栅条,其中同一行的栅条连在一起;在表面蒸镀绝缘层,并在外延片两端露出各行的源栅电极焊台;光刻并腐蚀绝缘层露出漏电极,然后蒸镀合金,并采用剥离技术使得同一列的漏电极连在一起;以及涂光刻胶,实现保护和表面钝化。利用本发明,解决了普通CCD无法有效进行弱光探测的问题,达到了低功耗、在微弱的光照条件下实现图像捕获的高增益弱光探测的目的。 |
申请公布号 |
CN102738191A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210236350.9 |
申请日期 |
2012.07.09 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
聂诚磊;杨晓红;王秀平;王杰;刘少卿;李彬;杨怀伟;尹伟红;韩勤 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法,其特征在于,包括:选择外延片,在外延片上涂光刻胶,对外延片腐蚀出台面,形成源漏沟道,其中同一行的源极在光刻时连在一起;在源极和漏极蒸镀电极,进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触;蒸镀透明电极,在源漏电极之间光刻出栅条,其中同一行的栅条连在一起;在表面蒸镀绝缘层,并在外延片两端露出各行的源栅电极焊台;光刻并腐蚀绝缘层露出漏电极,然后蒸镀合金,并采用剥离技术使得同一列的漏电极连在一起;以及涂光刻胶,实现保护和表面钝化。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |