| 发明名称 | 固化无碳可流动CVD膜 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种用来形成氧化硅层的方法。所述方法可以包括以下步骤：将无碳的含硅前体与自由基-氮-和/或-氢前体混合，并在基材上沉积含硅-氮-和-氢的层。然后通过在含臭氧的气氛中进行低温退火(“固化”)来引发所述含硅-氮-和-氢的层向含硅和氧的层转化。所述在含臭氧气氛中进行的硅和氮膜向氧化硅的转化可能是不完全的，在含氧气的气氛中补充进行较高温度的退火。 | ||
| 申请公布号 | CN102741989A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201080056416.5 | 申请日期 | 2010.10.22 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 梁璟梅;洪锡湲 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 江磊 |
| 主权项 | 一种在基材加工室内的无等离子体基材加工区域中的基材上形成含硅‑氧的层的方法，所述方法包括：在所述基材上沉积无碳含硅‑氮‑和‑氢的层；以及在含臭氧的气氛中，在固化温度条件下对所述含硅‑氮‑和‑氢‑的层进行固化，使得所述含硅‑氮‑和‑氢的层转化为氧化硅层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||