发明名称 |
半导体结构的形成方法 |
摘要 |
一种半导体结构的形成方法,包括步骤:提供基底,在所述基底上形成氮化硅层和氧化硅层交替分布的多层堆叠结构;对所述堆叠结构进行等离子体刻蚀,偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率,当偏置功率源打开时,刻蚀部分所述堆叠结构,形成刻蚀孔,当偏置功率源关闭时,在已形成的刻蚀孔的侧壁和底部形成聚合物,重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程,直至形成通孔。刻蚀步骤和聚合物形成步骤交替进行,刻蚀形成部分深度的刻蚀孔后,会相应的在刻蚀孔的侧壁形成聚合物,后续沿刻蚀孔继续刻蚀堆叠结构时,保护已形成的刻蚀孔不会被过刻蚀,从而使最终形成的通孔保持垂直的侧壁形貌。 |
申请公布号 |
CN102738074A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210232400.6 |
申请日期 |
2012.07.05 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
王兆祥;梁洁;邱达燕 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括步骤:提供基底,在所述基底上形成氮化硅层和氧化硅层交替分布的多层堆叠结构;对所述堆叠结构进行等离子体刻蚀,偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率,当偏置功率源打开时,刻蚀部分所述堆叠结构,形成刻蚀孔,当偏置功率源关闭时,在已形成的刻蚀孔的侧壁和底部形成聚合物,重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程,直至形成通孔。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |