半导体器件的制造方法、基板处理装置以及半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法、基板处理装置以及半导体器件。实现具有高介电常数且在高温状态下稳定的电容绝缘膜的形成。所述半导体器件的制造方法通过进行以下工序来形成规定的膜，该工序包括：向收容基板的处理室供给包含第一元素的第一原料，使第一原料吸附于在基板的表面上；在使第一原料进行吸附之后，向处理室供给包含第二元素的第二原料，使第二原料吸附在基板的表面上；向处理室供给包含第三元素的第三原料，来对基板的表面进行改性；以及去除处理室内的环境气体，其中，相对于吸附在基板的表面上的第一原料的饱和吸附量，调整第一原料的吸附量和第二原料的吸附量，由此控制膜中的第二元素的含有量。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其通过进行以下工序来形成规定的膜，该工序包括如下步骤：向收容基板的处理室供给包含第一元素的第一原料，使上述第一原料吸附在上述基板的表面上的步骤；在使上述第一原料吸附之后，向上述处理室供给包含第二元素的第二原料，使上述第二原料吸附在上述基板的表面上的步骤；向上述处理室供给包含第三元素的第三原料，来对上述基板的表面进行改性的步骤；以及去除上述处理室内的环境气体的步骤，在该半导体器件的制造方法中，相对于吸附在上述基板的表面上的上述第一原料的饱和吸附量，调整上述第一原料的吸附量和上述第二原料的吸附量，由此控制上述膜中的第二元素的含有量。