一种基于自对准工艺的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于自对准工艺的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法，首先在Si衬底上，制备埋层、集电区、深槽隔离以及集电极接触区，在此基础上，利用自对准工艺，自对准生成SiGe基区和Poly-Si发射区，形成HBT器件；制备PMOS器件有源区层结构，在PMOS器件有源区上制备漏极和栅极，形成PMOS器件；制备NMOS器件有源区层结构，在NMOS器件有源区制备栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；光刻引线，构成CMOS导电沟道为22～45nm的应变Si BiCMOS集成器件及电路；本发明在制备过程中采用了自对准工艺，而且充分利用了张应变Si材料迁移率各向异性的特点，在600～800℃，制备出了性能增强的应变Si BiCMOS集成电路。

主权项

一种基于自对准工艺的应变Si BiCMOS集成器件，其特征在于，所述双应变平面BiCMOS集成器件采用双多晶SiGe HBT器件，应变Si平面沟道NMOS器件和应变Si垂直沟道PMOS器件。