| 发明名称 |
一种用电熔氧化锆尾气制备高纯气相二氧化硅的方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种用电熔氧化锆尾气制备高纯气相二氧化硅的方法，该方法依次包括以下步骤：1）氧化，所述氧化步骤是将电熔氧化锆尾气与氧气含量为60~80%的净化气体混合充分反应，得到含气相二氧化硅的混合气体；2）冷却，将含气相二氧化硅的混合气体冷却至220~280℃；3）分离，将冷却后的含气相二氧化硅的混合气体进行分离，得到气相二氧化硅。与现有技术相比，本发明利用电熔氧化锆尾气制备的气相二氧化硅粒度在0.1-1.0um之间、白度在92-96之间、纯度在98％以上。 |
| 申请公布号 |
CN102730701A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
| 申请号 |
CN201210264724.8 |
申请日期 |
2012.07.30 |
| 申请人 |
焦作市科力达科技有限公司 |
发明人 |
张清河;梁国庆 |
| 分类号 |
C01B33/113(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/113(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种用电熔氧化锆尾气制备高纯气相二氧化硅的方法，其特征在于，该方法依次包括以下步骤：1）氧化，所述氧化步骤是将电熔氧化锆尾气与氧气含量为60~80%的净化气体混合充分反应，得到含气相二氧化硅的混合气体；2）冷却，将含气相二氧化硅的混合气体冷却至220~280℃；3）分离，将冷却后的含气相二氧化硅的混合气体进行分离，得到气相二氧化硅。 |
| 地址 |
454191 河南省焦作市中站区焦克路北科力达科技有限公司 |
