一种三应变全平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种三应变全平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，制备深槽隔离，分别光刻集电区、基区浅槽隔离区域，进行离子注入，形成集电极、基极以及发射极接触区，最终形成SiGe HBT器件；光刻NMOS器件有源区沟槽，在沟槽中生长四层材料，在NMOS器件有源区制备栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；光刻PMOS器件有源区沟槽，在沟槽内生长三层材料，在PMOS器件有源区上制备漏极和栅极，形成PMOS器件；光刻引线，构成三应变、全平面SOI BiCMOS集成器件及电路。本发明的制备过程采用自对准工艺，并充分了利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料空穴迁移率高于体Si材料特点，制备出了性能增强的三应变、全平面SOI BiCMOS集成电路。

主权项

一种三应变全平面SOI BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变SiGe平面沟道，双极器件为SOI SiGe HBT器件。