发明名称 |
拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极 |
摘要 |
本发明涉及硅太阳能电池正电极设计领域,特别是一种拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极,它包括细栅线和主栅线,电池片正面的多根细栅线为同心圆和同心圆弧形,相邻细栅线之间的距离为2~3mm。本发明所设计的硅太阳能电池栅线传导结构,运用拓扑学规律,改变其分布状况,增加电池片表面的电子的传输速度,增加电子的有效传导。 |
申请公布号 |
CN102130193B |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201010620111.4 |
申请日期 |
2010.12.31 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
陈苏平 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极,包括细栅线(1)和主栅线(2),其特征是:所述的电池片正面的多根细栅线(1)为同心圆和同心圆弧形,相邻细栅线(1)之间的距离为2~3mm,所述的主栅线(2)有三根,分为中部主栅线(21)和两个两侧主栅线(22),两侧主栅线(22)位于中部主栅线(21)两侧,中部主栅线(21)穿过细栅线(1)的圆心,两侧主栅线(22)的分为四段,分别是两头的竖直段(221)和中间的倾斜段(222),中间的两个倾斜段(222)在硅片边缘处相交,构成外凸的凸角。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |