发明名称 |
半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置的制造方法。其能够易于实现在芯片上形成贯通电极、易于实现贯通电极相互间的连接。实施方式的制造方法的特征在于,准备多个半导体基板,该半导体基板形成有用于贯通主表面间的贯通孔、并且在该贯通孔内填充有多孔质导体;以使被填充在上述贯通孔内的多孔质导体的位置对准的方式将上述多个半导体基板层叠起来;将含有颗粒状导体的导体墨导入到层叠起来的上述多个半导体基板的上述多孔质导体中;对层叠起来的上述多个半导体基板进行烧制。 |
申请公布号 |
CN102738069A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210076842.6 |
申请日期 |
2012.03.21 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
中尾贤;原田宗生;饭田到;山口永司 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,准备多个半导体基板,该半导体基板形成有用于贯通主表面间的贯通孔,并且在该贯通孔内填充有多孔质导体;以使被填充在上述贯通孔内的多孔质导体的位置对准的方式将上述多个半导体基板层叠起来;将含有颗粒状导体的导体墨导入到层叠起来的上述多个半导体基板的上述多孔质导体中;对层叠起来的上述多个半导体基板进行烧制。 |
地址 |
日本东京都 |