| 发明名称 | 一种可调控介质层磁性的阻变存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可调控介质层磁性的阻变存储器。该阻变存储其包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其中，所述底电极和顶电极均为铂电极或者金电极；所述介质层为过渡金属Co、Fe和Ni等掺杂的氧化锌高阻态稀磁氧化物薄膜，该具有稀磁特性的ZnO薄膜由下述原子百分数的元素组成：过渡金属为1.0～3.0at.﹪，Zn为47.0～49.0at.﹪，其余为O。采用阻变的方式调控ZnO基稀磁氧化物存储介质层磁性的变化，这种磁性强弱的变化可以用作信息的存储，增加了信息存储的维度。 | ||
| 申请公布号 | CN102738391A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210186988.6 | 申请日期 | 2012.06.07 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 宋成;潘峰;陈光;彭晶晶 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种可调控介质层磁性的阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其特征在于：所述介质层为过渡金属掺杂的氧化锌薄膜。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号清华大学 | ||