阻变存储器单元及其制造方法

摘要

一种阻变存储器单元及其制造方法，该阻变存储器单元包括具有顶电极、底电极以及形成在所述顶电极和底电极之间的阻变层的阻变存储器，具有源极、漏极和栅极的MOS管。所述阻变存储器的底电极由硅基材料形成，并且所述MOS管的源极连接到所述底电极。本发明的阻变存储器单元能够利用传统的CMOS工艺及设备进行制造，因而能够简化工艺步骤，降低制造成本，便于大规模生产。

主权项

一种阻变存储器单元的制造方法，所述阻变存储器单元包括具有顶电极、底电极以及形成在所述顶电极和底电极之间的阻变层的阻变存储器，以及具有源极、漏极和栅极的MOS管，所述方法包括下述步骤：在一硅基衬底上进行P型掺杂；在所述硅基衬底上要形成阻变存储器的第二区域上进行P型掺杂或N型掺杂以形成底电极；在所述底电极上形成一层或多层金属氧化物材料以形成阻变层；在所述阻变层上淀积导电材料以形成顶电极；在所述硅基衬底上要形成MOS管的第一区域上淀积绝缘介质以形成栅介质层；在所述栅介质层上淀积导电材料以形成栅极；在所述第一区域的硅基衬底上进行N型掺杂以形成源极和漏极；在所述底电极和所述源极之间形成连接线，以连接所述底电极和所述源极。