回收靠近硅通孔的可用集成电路芯片区域

摘要

总体而言，一种集成电路器件，包括：衬底，该衬底包括穿过该衬底的过孔，位于过孔中的应变的导电第一材料和位于过孔中的应变的第二材料，该第一材料倾向于引入第一应力至所述衬底中，该第二材料倾向于引入第二应力至所述衬底中，第二应力至少部分抵消所述第一应力。在一个实施方式中，在硅晶片的过孔的内部侧壁上外延生长SiGe。随后在所述SiGe的内侧表面上形成SiO2，并且金属形成至中心。由SiGe引入的应力倾向于抵消由金属引入的应力，从而减少或消除硅中的不期望的应力，并且允许晶体管非常接近TSV放置。

主权项

一种集成电路器件，包括：衬底，包括穿过所述衬底的过孔；所述过孔中的应变的导电第一材料，所述第一材料倾向于引入第一应力至所述衬底中；以及所述过孔中的应变的第二材料，所述第二材料倾向于引入第二应力至所述衬底中，所述第二应力至少在所述衬底的目标区域内至少部分抵消所述第一应力。