发明名称 |
一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法,包括:在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后,在双极器件区域刻蚀深槽,在该槽中连续生长制备器件的集电区、基区和发射区,多晶硅基极和发射极,形成SiGe HBT;在NMOS器件区域刻蚀出深槽,选择性生长晶面为(100)的应变Si外延层,在该区域制备应变Si沟道NMOS器件;在PMOS器件有源区,选择性生长晶面为(110)的应变SiGe外延层,在该区域制备PMOS器件等。本发明在SiGe HBT器件的制备过程中采用了自对准工艺,BiCMOS器件为全平面结构,而且充分了利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料空穴迁移率高于体Si材料特点,以及晶面对迁移率的影响,制备出了性能增强的混合晶面、双多晶BiCMOS集成器件及电路。 |
申请公布号 |
CN102738155A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210243654.8 |
申请日期 |
2012.07.16 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
张鹤鸣;吕懿;周春宇;宣荣喜;胡辉勇;舒斌;宋建军;郝跃 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件,其特征在于,NMOS器件为应变Si平面沟道,PMOS器件为应变SiGe平面沟道,双极器件为SiGe HBT器件。 |
地址 |
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |