发明名称 基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及制备方法
摘要 基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及其制备方法,属于电子功能材料技术领域。所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成;其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。制备时,首先配制聚偏氟乙烯粉末的有机溶液(体系A);然后往体系A中加入石墨烯粉末,得到体系B;再采用超声雾化工艺,将体系B喷涂于衬底表面;最后将喷涂于衬底表面的体系B烘干,得到基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料。本发明在聚偏氟乙烯薄膜中掺入接近但不超过逾渗阈值的石墨烯,得到高出纯聚偏氟乙烯薄膜材料介电常数100%以上的复合介质薄膜材料,且保持了原有的柔韧性和易加工性;其制备方法简单、易控,成本低廉。
申请公布号 CN102729562A 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN201210179758.7 申请日期 2012.06.04
申请人 电子科技大学 发明人 徐建华;王偲宇;陈燕;杨文耀;杨亚杰;龙菁
分类号 B32B27/30(2006.01)I;B32B27/20(2006.01)I;C08L27/16(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I 主分类号 B32B27/30(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 葛启函
主权项 基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料,包括衬底位于衬底表面的复合介质薄膜,所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成;其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。
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