发明名称 |
基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及制备方法 |
摘要 |
基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及其制备方法,属于电子功能材料技术领域。所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成;其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。制备时,首先配制聚偏氟乙烯粉末的有机溶液(体系A);然后往体系A中加入石墨烯粉末,得到体系B;再采用超声雾化工艺,将体系B喷涂于衬底表面;最后将喷涂于衬底表面的体系B烘干,得到基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料。本发明在聚偏氟乙烯薄膜中掺入接近但不超过逾渗阈值的石墨烯,得到高出纯聚偏氟乙烯薄膜材料介电常数100%以上的复合介质薄膜材料,且保持了原有的柔韧性和易加工性;其制备方法简单、易控,成本低廉。 |
申请公布号 |
CN102729562A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210179758.7 |
申请日期 |
2012.06.04 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
徐建华;王偲宇;陈燕;杨文耀;杨亚杰;龙菁 |
分类号 |
B32B27/30(2006.01)I;B32B27/20(2006.01)I;C08L27/16(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I |
主分类号 |
B32B27/30(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
葛启函 |
主权项 |
基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料,包括衬底位于衬底表面的复合介质薄膜,所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成;其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |