发明名称 |
掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种掺杂单元,包括:一N型基底;形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域;形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域;形成于该N型重掺杂区域周围的N型轻掺杂区域;该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域以及该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触,该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触,其中所述P型替换为N型时,N型同时替换为P型。本发明中P型重掺杂区域与N型重掺杂区域之间具有N型基底材料、P型轻掺杂区域和N型轻掺杂区域作为缓冲层,使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿,由此形成的P+/P-/N/N-/N+结构的PN结使得载流子的迁移更均匀,速率更稳定,由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN102738264A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201110095579.0 |
申请日期 |
2011.04.15 |
申请人 |
上海凯世通半导体有限公司 |
发明人 |
钱锋;陈炯 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
薛琦;朱水平 |
主权项 |
一种掺杂单元,其特征在于,该掺杂单元包括:一N型基底;形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域;形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域;形成于该N型重掺杂区域周围的N型轻掺杂区域;其中,该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域互不接触,该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触,以及该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触,其中,所述的P型替换为N型时,N型同时替换为P型。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 |