| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在基底上形成介质层；在介质层上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以第一掩膜层为掩膜，对介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分介质层，当偏置功率源关闭时，在第一掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成具有凹槽和通孔的双大马士革结构。采用等离子体刻蚀，重复刻蚀步骤和聚合物的形成步骤，使得聚合物能保持一定的厚度，保护第一掩膜层的不会损伤或损伤的速率减小，提高介质层相对于第一掩膜层的刻蚀选择比。 | ||
| 申请公布号 | CN102737984A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210234307.9 | 申请日期 | 2012.07.06 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 王兆祥;梁洁;邱达燕 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以所述第一掩膜层为掩膜，对所述介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述介质层，当偏置功率源关闭时，在第一掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成具有凹槽和通孔的双大马士革结构。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||