发明名称 |
一种用于制备SiC<sub>p</sub>增强AZ91D复合材料坯料的方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于制备SiCp增强AZ91D复合材料坯料的方法,该方法按照如下步骤进行:配制高温粘结剂;采用湿法成型制备SiC颗粒预制块;对预制块进行干燥烧结;以及挤压浸渗获得SiCp增强AZ91D复合材料。上述制备SiCp增强AZ91D镁基复合材料坯料的方法自动化程度高,工艺过程稳定高效,坯料品质优良可靠,便于实现规模化生产。 |
申请公布号 |
CN102728818A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210185293.6 |
申请日期 |
2012.06.07 |
申请人 |
中国兵器工业第五九研究所 |
发明人 |
陈强;赵高瞻;万元元;陶健全;苏志权;邓天泉;孙昌建 |
分类号 |
B22D19/14(2006.01)I |
主分类号 |
B22D19/14(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于制备SiCp增强AZ91D复合材料坯料的方法,其特征在于:所述方法按照如下步骤进行:第一步,配制高温粘结剂;第二步,采用湿法成型制备SiC颗粒预制块;第三步,对预制块进行干燥烧结;第四步,挤压浸渗获得SiCp增强AZ91D复合材料。 |
地址 |
400039 重庆市沙坪坝区渝州路33号 |