发明名称 |
一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法,其过程为:制备SOI衬底,在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层,制备深槽隔离,形成集电极、基极以及发射极接触区,形成SiGe HBT器件;光刻PMOS器件有源区,在该有源区连续生长7层材料,制备漏极和栅极,形成PMOS器件;光刻NMOS器件有源区沟槽,在该有源区连续生长4层材料,制备栅介质层和栅多晶,形成NMOS器件,光刻引线孔,合金,光刻引线,构成CMOS导电沟道为22~45nm的基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点,在600~800℃,制备出了性能增强的混合晶面SOI BiCMOS集成电路。 |
申请公布号 |
CN102738160A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210244288.8 |
申请日期 |
2012.07.16 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
胡辉勇;宋建军;张鹤鸣;王斌;吕懿;宣荣喜;舒斌;郝跃 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件,其特征在于,所述双应变平面BiCMOS器件采用SOI SiGe HBT器件,应变Si平面沟道NMOS器件和应变Si垂直沟道PMOS器件。 |
地址 |
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |