| 发明名称 | 制造光电转换元件的方法、光电转换元件和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造光电转换元件的方法、光电转换元件和电子装置。制造光电转换元件的方法包括：当制造具有电解质层设置在透明导电衬底上的多孔电极和对电极之间的结构的光电转换元件时，使用导电膏在透明导电衬底上形成集电接线，导电膏中包括银颗粒和低熔点玻璃料。 | ||
| 申请公布号 | CN102737849A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210084347.X | 申请日期 | 2012.03.23 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 宫下宽子;高木裕登;诸冈正浩;森川慎一郎 |
| 分类号 | H01G9/008(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01B1/16(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/008(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 王安武 |
| 主权项 | 一种制造光电转换元件的方法，其包括：当制造具有电解质层设置在透明导电衬底上的多孔电极和对电极之间的结构的所述光电转换元件时，使用导电膏在所述透明导电衬底上形成集电接线，所述导电膏中包括银颗粒和低熔点玻璃料。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||