一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法

摘要

本发明属于高压大功率器件技术领域，具体为一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法。该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，区熔硅片用于制备IGBT器件，高掺杂直拉硅片作为低阻的背部接触，可以减少区熔硅片的用量，降低生产成本。同时，键合后不再需要进行背部的金属化工序，简化了加工制程，提高了生产良率。

主权项

一种用于制造大功率器件的半导体衬底制造方法，其特征在于是采用区熔硅片与高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底，具体步骤为：第一步：加工出所需要的区熔硅片，其过程为：提供一个具有第一种掺杂类型的区熔硅衬底；氢离子（H+）注入区熔硅衬底内并退火，形成H层；H层将区熔硅衬底分割成上下两个部分；进行离子注入，形成具有第一种掺杂类型的缓冲层；进行离子注入，形成具有第二种掺杂类型的高浓度掺杂区；形成第一层绝缘薄膜；形成第一层光刻胶；     掩膜、曝光、刻蚀形成开口；剥除第一层光刻胶；形成一层扩散阻挡层；并在区熔硅片中、第一层绝缘薄膜开口处形成凹槽结构；第二步：加工出所需要的高掺杂直拉硅片，其过程为：提供一个具有第一种掺杂类型的高掺杂直拉硅衬底；形成一层扩散阻挡层；形成一层金属，所述金属是耐高温的；形成第二层光刻胶；掩膜、曝光、刻蚀形成金属岛；剥除第二层光刻胶；第三步：将第一步中形成的区熔硅片倒扣后与第二步中形成的高掺杂直拉硅片进行键合，然后剥除区熔硅片中的H层以及H层以上的区熔硅片部分；所述金属岛结构与所述区熔硅片中形成的凹槽结构相匹配，键合后无缝隙。