| 发明名称 | TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其中，形成所述保护绝缘层包括：形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。本发明实施例提供的ARRAY板的制备方法能够在不更改掩膜版设计图案的情况下提高ARRAY板的透过率。 | ||
| 申请公布号 | CN102738081A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210255899.2 | 申请日期 | 2012.07.23 |
| 申请人 | 信利半导体有限公司 | 发明人 | 任思雨;胡君文;郝付泼;阮文中;洪胜宝;于春崎;谢凡;何基强 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其特征在于，形成所述保护绝缘层包括：形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。 | ||
| 地址 | 516600 广东省汕尾市城区工业大道信利电子工业城 | ||