相变存储器结构和写入相变存储器结构的方法

摘要

本发明描述了相变存储器(PCM)结构以及写入PCM结构的方法。在一个实施例中，PCM结构包括PCM阵列、字线驱动电路、位线驱动电路、源驱动电路以及电压供应电路。位线驱动电路连接到PCM阵列和电接地。本发明还描述了其它实施例。

主权项

一种相变存储器结构，该相变存储器结构包括：相变存储器阵列，其中该相变存储器阵列包括多行相变存储器单元，每行相变存储器单元包括多个相变存储器单元，并且每个相变存储器单元包括：相变存储器元件，配置为存储数值；和选择器件，连接到相变存储器元件并用于选择该相变存储器元件；多个字线驱动电路，连接到相变存储器单元的行，其中每个字线驱动电路用于访问一行相变存储器单元；多个位线驱动电路，连接到相变存储器单元的行和电接地，其中每个位线驱动电路用于访问每行相变存储器单元中的相变存储器单元；源驱动电路，连接到相变存储器阵列中至少一些选择器件的源极端子和电接地；以及电压供应电路，连接到字线驱动电路、位线驱动电路和源驱动电路。