| 发明名称 | 研磨液及研磨方法 | ||
| 摘要 | 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸性基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，前述酸的铵盐及前述酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的前述研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。 | ||
| 申请公布号 | CN101037586B | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN200710107442.6 | 申请日期 | 2003.05.29 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 仓田靖;上方康雄;安西创;寺崎裕树 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C09K3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 雒纯丹 |
| 主权项 | 一种研磨液，该研磨液用于研磨屏障导体层，屏障导体层是选自钽、氮化钽、钽合金、钛、氮化钛、钛合金、钨、氮化钨、钨合金中的1种形成的单层，或2种或2种以上形成的集层，该研磨液含有金属的氧化剂、金属防蚀剂、氧化金属溶解剂、以及水，其特征在于，该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸性基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸、这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上；该研磨液的PH值在3～3.75之间，且该金属的氧化剂的浓度为0.01～3重量％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||