| 发明名称 | 制造玻璃绝缘体上半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 制造玻璃上半导体(SiOG)结构的方法和设备，其包括：对给体半导体晶片的注入表面进行离子注入过程，在该给体半导体晶片中产生脱落层；采用电解使脱落层的注入表面与玻璃基片结合；将脱落层与给体半导体晶片分离，因而露出至少一个裂开的表面；和对至少一个裂开的表面进行湿蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN101438395B | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN200780014202.X | 申请日期 | 2007.04.16 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | 冯江蔚;K·P·加德卡里;J·F·麦齐;M·J·莫尔;M·A·斯托克 |
| 分类号 | H01L21/425(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/425(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 一种形成玻璃上半导体结构的方法，该方法包括：对给体半导体晶片的注入表面进行离子注入操作，产生给体半导体晶片的脱落层；采用电解将脱落层的注入表面与玻璃基片结合；使脱落层与给体半导体晶片分离，露出给体半导体晶片的第一裂开表面和脱落层的第二裂开表面；和对第一裂开表面和第二裂开表面中的至少一个在20‑100℃范围内进行湿蚀刻过程，且在湿蚀刻过程之前或之后均不使用氢退火过程。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||