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Hétérostructure comprenant une première région (R1) en un premier matériau semi-conducteur avec un dopage de type n, une deuxième région (R2) en un deuxième matériau semi-conducteur avec un dopage de type p et, entre lesdites première et deuxième régions, un super-réseau (SR) de type Il formé par une alternance de couches (C , C ) d'un troisième et d'un quatrième matériau semi-conducteur, lesdites couches présentant des épaisseurs suffisamment faibles pour que les porteurs soient délocalisés à l'intérieur dudit super-réseau formant au moins une mini-bande d'électrons (MBe) et une mini-bande de trous (MBh), les interfaces entre la première région et le super-réseau, entre les couches du super-réseau, et entre le super-réseau et la deuxième région étant parallèles entre elles. Cellule photovoltaïque comprenant une telle hétérostructure en tant qu'élément actif. Panneau solaire comprenant une association de telles cellules photovoltaïques.
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