| 摘要 |
<p>Selon ce procédé, qui s'applique notamment en électronique, on forme une structure semiconductrice (12) à partir de premiers flux gazeux ou moléculaires ; en même temps ou de façon décalée, on ajoute à ceux-ci au moins un deuxième flux gazeux ou moléculaire, pour faire croître sélectivement et in situ une couche diélectrique (14) sur la structure ; puis on fait croître sur celle-ci une autre structure semiconductrice (16) à partir de troisièmes flux gazeux ou moléculaires.</p> |
