晶片承载盘结构体以及有机金属气相沉积装置

摘要

本创作提供一种晶片承载盘结构体，应用于有机金属气相沉积系统中，其包含承载盘本体以及子载盘。承载盘本体系设置于有机金属气相沉积系统的反应腔体中，并且其上具有容置部用来容置子载盘。子载盘包含有承载孔与环绕承载孔之环形支撑件，其中，环形支撑件在承载孔边缘形成阶梯构造。当晶片承载于子载盘之承载孔中时，环形支撑件可支撑晶片，并且令晶片与承载孔的底部之间形成一空间。藉此，可改善晶片于磊晶制程时受热的温度分布。

主权项

一种晶片承载盘结构体，设置于一有机金属气相沉积系统中，该晶片承载盘结构体包含：一承载盘本体，设置于该有机金属气相沉积系统之一反应腔体中，该承载盘本体具有一容置部；以及一子载盘，容纳于该容置部中，该子载盘包含一承载孔以及一环形支撑件环绕该承载孔以于该承载孔边缘形成一阶梯构造，该承载孔系用以容纳一晶片，并且该环形支撑件系用以支撑该晶片以令该晶片与该承载孔之底部间形成一空间。如申请专利范围第1项所述之晶片承载盘结构体，其中该子载盘之尺寸范围系1至12寸。如申请专利范围第1项所述之晶片承载盘结构体，其中该环形支撑件之材质包含石墨、碳化矽以及石墨表面涂布碳化矽之材料组合的其中之一。如申请专利范围第1项所述之晶片承载盘结构体，其中该阶梯构造之宽度与深度之比例范围系0.005至500。一种有机金属气相沉积装置，包含：一反应腔体；以及一晶片承载盘结构体，设置于该反应腔体中，该晶片承载盘结构体进一步包含：承载盘本体，具有一容置部；以及一子载盘，容纳于该容置部中，该子载盘包含一承载孔以及一环形支撑件环绕该承载孔以于该承载孔边缘形成一阶梯构造，该承载孔系用以容纳一晶片，并且该环形支撑件系用以承载该晶片以令该晶片与该承载孔之底部间形成一空间。如申请专利范围第5项所述之有机金属气相沉积装置，其中该子载盘之尺寸范围系1至12寸。如申请专利范围第5项所述之有机金属气相沉积装置，其中该环形支撑件之材质包含石墨、碳化矽以及石墨表面涂布碳化矽之材料组合的其中之一。如申请专利范围第5项所述之有机金属气相沉积装置，其中该阶梯构造之宽度与深度之比例范围系0.005至500。如申请专利范围第5项所述之有机金属气相沉积装置，进一步包含：一供热单元，设置于该反应腔体中，该供热单元系用以对该晶片承载盘结构体供热；以及一供气单元，连接至该晶片承载盘结构体，该供气单元系用于提供一气体于该容置部中，以使该子载盘能于该容置部中旋转。