发明名称 电容式声音换能器
摘要 本发明系一种电容式声音换能器,其包含有一基底、一振膜组及一支撑组件,可增设有一可盖合于该基底之背板,该振膜组包含至少一振膜,该支撑组件用以支撑固定该振膜组及电性传递,且该支撑组件设于该振膜组中间处并呈现轴对称的状态,所以该振膜组所形成之力臂较用短,可防止振膜释放之黏着,进而增加该振膜组的面积,使本发明电容式声音换能器之收音敏感度及良品率提升,故更为符合市场及使用者的需求。
申请公布号 TWI374674 申请公布日期 2012.10.11
申请号 TW097111153 申请日期 2008.03.28
申请人 杨政达 发明人 杨政达
分类号 H04R19/00 主分类号 H04R19/00
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种电容式声音换能器,其包含:一基底,其上设有至少一绝缘层,且最顶层绝缘层设有一下导电层;一背板,系盖合于该基底上,形成一容置空间,该背板上穿设有至少一音孔;一振膜组,其包含有至少一振膜,系位于该容置空间中;以及一支撑组件,系设于该振膜组之中央处并连接该基底之绝缘层上,其包含有至少一支撑柱。如申请专利范围第1项所述之电容式声音换能器,其中,该电容式声音换能器增设一辅助支撑组件,该辅助支撑组件位于该振膜组之中央处,且相对于该支撑组件,该辅助支撑组件包含有至少一支撑柱,每一支撑柱之两端分别连接该振膜组及该背板。如申请专利范围第1或2项所述之电容式声音换能器,其中,该背板上设有一上导电层。如申请专利范围第1或2项所述之电容式声音换能器,其中,该基底下设有一音室,且该基底下导电层顶面设有音孔通至该音室。如申请专利范围第1或2项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第4项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第5项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第7项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第8项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第7项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第3项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第11项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第12项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第13项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第12项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第1项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相同材质之构件。如申请专利范围第16项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是一体成形的构件。如申请专利范围第16项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。如申请专利范围第1项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相异材质之构件。如申请专利范围第19项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。一种电容式声音换能器,其包含:一基底,其上设有至少一绝缘层,且最顶层绝缘层设有一下导电层;一背板,系盖合于该基底上,形成一容置空间,该背板上穿设有至少一音孔;一振膜组,其包含有至少一振膜,系位于该容置空间中;以及一支撑组件,系设于该振膜组之中央处并连接该背板,其包含有至少一支撑柱。如申请专利范围第21项所述之电容式声音换能器,其中,该电容式声音换能器增设一辅助支撑组件,该辅助支撑组件位于该振膜组之中央处,且相对于该支撑组件,该辅助支撑组件包含有至少一支撑柱,每一支撑柱之两端分别连接该振膜组及该基底之绝缘层上。如申请专利范围第21或22项所述之电容式声音换能器,其中,该背板上设有一上导电层。如申请专利范围第21或22项所述之电容式声音换能器,其中,该基底下设有一音室,且该基底下导电层顶面设有音孔通至该音室。如申请专利范围第21或22项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第24项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第25项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第27项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第28项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第28项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第23项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第31项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第32项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第33项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第32项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第21项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相同材质之构件。如申请专利范围第36项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是一体成形的构件。如申请专利范围第36项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。如申请专利范围第21项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相异材质之构件。如申请专利范围第39项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。一种电容式声音换能器,其包含:一基底,其上设有至少一绝缘层,且最顶层绝缘层设有一下导电层;一振膜组,其包含有至少一振膜,且该振膜组与所述之绝缘层分别位于该下导电层之两相对侧;以及一支撑组件,系设于该振膜组之中央处并连接该基底之绝缘层上,其包含有至少一支撑柱。如申请专利范围第41项所述之电容式声音换能器,其中,该电容式声音换能器增设一背板,该背板盖合于该基底上,且形成一容置空间,而该背板上穿设有至少一音孔。如申请专利范围第42项所述之电容式声音换能器,其中,该背板底面设有一上导电层,且该背板上穿设有至少一音孔通至该容置空间。如申请专利范围第42或43项所述之电容式声音换能器,其中,该电容式声音换能器增设一辅助支撑组件,该辅助支撑组件位于该振膜组之中央处,且相对于该支撑组件,该辅助支撑组件包含有至少一支撑柱,每一支撑柱之两端分别连接该振膜组及该背板上。如申请专利范围第41至43项任一项所述之电容式声音换能器,该基底内部设有一音室,而该下导电层顶面设有音孔通至该音室。如申请专利范围第41至43项任一项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第45项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第46项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第48项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第49项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第48项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第44项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第52项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第53项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第54项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第53项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第41项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相同材质之构件。如申请专利范围第57项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是一体成形的构件。如申请专利范围第57项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。如申请专利范围第41项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相异材质之构件。如申请专利范围第60项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。一种电容式声音换能器,其包含:一基底,其上设有至少一绝缘层;一背板,系盖合于该基底上,形成一容置空间,该背板上穿设有至少一音孔,且该背板内侧顶面设有一上导电层:一振膜组,其包含有至少一振膜,系位于该容置空间中;以及一支撑组件,系设于该振膜组之中央处并连接该背板,其包含有至少一支撑柱。如申请专利范围第62项所述之电容式声音换能器,其中,该电容式声音换能器增设一辅助支撑组件,该辅助支撑组件位于该振膜组之中央处,且相对于该支撑组件,该辅助支撑组件包含有至少一支撑柱,每一支撑柱之两端分别连接该振膜组及该基底之绝缘层上。如申请专利范围第62或63项所述之电容式声音换能器,其中,该电容式声音换能器于该基底最上层之绝缘层顶面设有一下导电层。如申请专利范围第64项所述之电容式声音换能器,其中,该基底下设有一音室,且该基底下导电层顶面设有音孔通至该音室。如申请专利范围第62或63项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第65项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第66项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第68项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第69项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第69项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第66项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第72项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第73项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第74项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第73项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第62项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相同材质之构件。如申请专利范围第77项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是一体成形的构件。如申请专利范围第77项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。如申请专利范围第62项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相异材质之构件。如申请专利范围第80项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。一种电容式声音换能器,其包含:一基底,其上设有至少一绝缘层;一背板,系盖合于该基底上,形成一容置空间,该背板上穿设有至少一音孔,且该背板内侧顶面设有一上导电层;一振膜组,其包含有至少一振膜,系位于该容置空间中;以及一支撑组件,系设于该振膜组之中央处并连接该基底之绝缘层上,其包含有至少一支撑柱。如申请专利范围第82项所述之电容式声音换能器,其中,该电容式声音换能器增设一辅助支撑组件,该辅助支撑组件位于该振膜组之中央处,且相对于该支撑组件,该辅助支撑组件包含有至少一支撑柱,每一支撑柱之两端分别连接该振膜组及该背板上。如申请专利范围第82或83项所述之电容式声音换能器,其中,该电容式声音换能器于该基底最上层之绝缘层顶面设有一下导电层。如申请专利范围第84项所述之电容式声音换能器,其中,该基底下设有一音室,且该基底下导电层顶面设有音孔通至该音室。如申请专利范围第82或83项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第85项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第86项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第88项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第89项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第89项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第91项所述之电容式声音换能器,其中,该振膜组上设有数个补强肋。如申请专利范围第92项所述之电容式声音换能器,其中,每一补强肋自该振膜组之中央处呈几何形状地往该振膜组外周边延伸。如申请专利范围第93项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为相同材质之构件。如申请专利范围第94项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋与该振膜组为一体成形。如申请专利范围第93项所述之电容式声音换能器,其中,所述之补强肋系分段成形于该振膜组上。如申请专利范围第82项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相同材质之构件。如申请专利范围第97项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是一体成形的构件。如申请专利范围第97项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。如申请专利范围第82项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组之振膜为相异材质之构件。如申请专利范围第100项所述之电容式声音换能器,其中,所述之支撑组件与该振膜组是分段成形的构件。
地址 高雄市旗津区中洲三路482号