| 主权项 |
一种组成份，其包含至少一个包含结构式3’或4’之部份体(moiety)@sIMGTIF!d10027.TIF@eIMG!其中n为大于零的整数；m不小于1；o不小于1；x大于或等于1；R1和R2各自独立地为氢或烷基，其中R1和R2至少一者为烷基，且Ar为芳基，其中n不为1。依据申请专利范围第1项之组成份，其中R1和R2是由至少4个碳原子所构成之烷基。依据申请专利范围第1项之组成份，其中R1和R2是相同的烷基。依据申请专利范围第1项之组成份，其中R1和R2是不同的烷基。依据申请专利范围第1项之组成份，其中R1和R2不为氢。依据申请专利范围第1项之组成份，其中n为2至15。依据申请专利范围第1项之组成份，其中n为2、3、或4。依据申请专利范围第1项之组成份，其中Ar包含一或多个未并合的噻吩基、一或多个并合的噻吩基、或未并合与并合的噻吩基之组合。依据申请专利范围第8项之组成份，其中该等并合或未并合之噻吩基为经取代或未经取代的。依据申请专利范围第1项之组成份，其中结构式3’或4’中一或多个硫原子被氧化。依据申请专利范围第10项之组成份，其中经氧化之该部份体包含结构式44’或45’@sIMGTIF!d10028.TIF@eIMG!其中在经氧化之并合噻吩环系统之至少一个最中心环中T为SO2。依据申请专利范围第11项之组成份，其中在最中心环中之T为SO2而其余S原子未被氧化。依据申请专利范围第1项之组成份，其中该部份体包含结构式200或201@sIMGTIF!d10029.TIF@eIMG!其中o为1、2、或3；n、m及x各自如申请专利范围第1项中所定义；且R1、R2、R3及R4各自独立地为氢或烷基。依据申请专利范围第13项之组成份，其中n为2、3、或4，且m为1。依据申请专利范围第1项之组成份，其中n为2、3、或4；m为1；且o为1、2、或3。寡聚物、或聚合物，包含如申请专利范围第1项中所述之部份体。寡聚物、或聚合物，包含如申请专利范围第11项中所述之部份体。一种包含申请专利范围第1项之组成份的装置，其中该组成份配置于电子、光电、或非线性光学装置中。一种制造包含如申请专利范围第1项中所述部份体之化合物的方法，该方法包含以包含结构式210或220之化合物@sIMGTIF!d10030.TIF@eIMG!(其中n为大于或等于2之整数；m不小于1；R1及R2各自独立地为氢或烷基，其中R1及R2至少一者为烷基)，与具有(R5)3Sn-Ar-Sn(R5)3结构式之化合物反应，其中Ar包含芳基且R5为烷基。 |
