发明名称 新颖的二酮基吡咯并吡咯聚合物
摘要 本发明关于包含下述式(I)之重覆单元之聚合物,;及;其在电子装置上的用途。根据本发明之聚合物在有机溶剂中具有绝佳的溶解度,以及绝佳的膜形成特性。再者,若根据本发明之聚合物用于聚合物发光二极体(PLEDs),可观察到高带电载子移动率及发光颜色之高温度稳定性。
申请公布号 TWI374156 申请公布日期 2012.10.11
申请号 TW093132565 申请日期 2004.10.27
申请人 席巴特制品化学股份有限公司 发明人 汉姆 伊哥;泰基 伯德;兰日 罗曼;需米德哈特 比特;拉宾拉纳斯 阿拉明达R;杜吉里 马夏斯
分类号 C08G61/12 主分类号 C08G61/12
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种聚合物,包含下述化学式之重覆单元@sIMGCHAR!d10660.TIF@eIMG!,其中Ar1及Ar2系各自独立地为@sIMGTIF!d10045.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10046.TIF@eIMG!R35、R36及R37可为相同或不同,且可选自于氢原子、可择地插置有一或多个氧原子之C1-C25烷基、环烷基、芳烷基、烯基、环烯基、炔基、羟基、巯基、烷氧基、烷基硫、芳基醚、芳基硫醚、芳基、杂环基、卤原子、卤烷基、卤烯基、卤炔基、氰基、醛基、羧基、酯基、胺基甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、经取代或未经取代之乙烯基、烷胺基、二烷胺基、烷基芳胺基、芳胺基以及二芳胺基,或至少二邻近之取代基R5至R7形成芳族或脂族之稠合环系统,R38为氢原子、C1-C25烷基、环烷基、芳烷基、芳基或杂环基,R1及R2可为相同或不同且系选自于下述基团:C1-C25烷基,其可视需要地插置一或多个氧原子;烯丙基,其可经以C1-C4-烷基取代一至三次;环烷基,其可经以C1-C8烷基或C1-C8烷氧基取代取代一至三次或者其经由苯基缩合一或二次,该苯基可经以C1-C4-烷基、卤素、硝基或氰基取代一至三次;烯基;环烯基;炔基;卤烷基;卤烯基;卤炔基;酮基或醛基;酯基;胺基甲醯基;矽烷基;矽氧烷基;Ar3或-CR3R4-(CH2)g-Ar3;其中R3及R4各自独立地代表氢,氟,氰基或C1-C4烷基,其可经以氟、氯或溴取代,或苯基,其可经以C1-C4烷基取代一至三次;Ar3代表芳基或杂芳基,其可经以C1-C8烷基及/或C1-C8烷氧基取代一至三次,且g代表0、1、2、3或4。如申请利范围1项之聚合物,其中Ar1及Ar2系各自独立地选自于下式之基团:@sIMGCHAR!d10661.TIF@eIMG!,@sIMGTIF!d10047.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10048.TIF@eIMG!@sIMGCHAR!d10669.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10670.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10671.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10662.TIF@eIMG!,或@sIMGCHAR!d10663.TIF@eIMG!,其中R38代表氢、C6-C10芳基、C7-C12烷基芳基、C7-C12芳烷基,或C1-C8烷基。如申请专利范围第1项之聚合物,其中Ar1及Ar2系各自独立地为@sIMGCHAR!d10664.TIF@eIMG!、@sIMGCHAR!d10665.TIF@eIMG!、@sIMGCHAR!d10666.TIF@eIMG!、@sIMGCHAR!d10667.TIF@eIMG!或@sIMGCHAR!d10668.TIF@eIMG!,其中R6为氢、C1-C18烷基或C1-C18烷氧基。如申请专利范围第1项之聚合物,其包含一或多种(至少一种)重覆单元Ar3,该重覆单元Ar3系选自由下式:@sIMGTIF!d10049.TIF@eIMG!@sIMGCHAR!d10672.TIF@eIMG!,以及由Vg-Vn、IIa-IIs、IIIa-IIIk及IVa-IVq所组成之组群:@sIMGTIF!d10050.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10051.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10052.TIF@eIMG!其中,r为1至10的整数,q为1至10的整数,s为1至10的整数,R6及R7系各自独立地为H、卤素、-CN、C1-C18烷基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷基、C6-C24芳基、经以G取代之C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、经以G取代之C2-C20杂芳基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基、-C(=O)-R17、-C(=O)OR17,或-C(=O)NR17R16,R9及R10系各自独立地为H、C1-C18烷基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷基、C6-C24芳基、经以G取代之C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、经以G取代之C2-C20杂芳基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷氧基,或C7-C25芳烷基,或R9及R10一起形成式=CR100R101之基团,其中R100及R101系各自独立地为H、C1-C18烷基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷基、C6-C24芳基、经以G取代之C6-C24芳基,或C2-C20杂芳基,或经以G取代之C2-C20杂芳基,或R9及R10一起形成五或六元环,其可视需要地经以下述基团取代:C1-C18烷基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷基、C6-C24芳基、经以G取代之C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、经以G取代之C2-C20杂芳基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基,或-C(=O)-R17,以及R16及R17系各自独立地为H、C6-C18芳基、经以C1-C18烷基或C1-C18烷氧基所取代之C6-C18芳基、C1-C18烷基,或插置-O-之C1-C18烷基,D为-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63=CR64-,或-C≡C-,且E为-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN、-OCOOR67,或卤素,G为E,或C1-C18烷基,R63、R64、R65及R66系各自独立地为H,C6-C18芳基,经以C1-C18烷基、C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基,C1-C18烷基,或插置-O-之C1-C18烷基;或R65及R66一起形成五或六元环,@sIMGCHAR!d10673.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10674.TIF@eIMG!,或@sIMGCHAR!d10675.TIF@eIMG!,R67及R68系各自独立地为H,C6-C18芳基,经以C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基,C1-C18烷基,或插置-O-之C1-C18烷基,R69为H,C6-C18芳基,经以C1-C18烷基、C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基,C1-C18烷基,或插置-O-之C1-C18烷基,R70及R71系各自独立地为C1-C18烷基,C6-C18芳基,或C6-C18芳基,其系经以C1-C18烷基取代,以及R72为C1-C18烷基、C6-C18芳基,或C6-C18芳基,其系经以C1-C18烷基取代;@sIMGTIF!d10053.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10054.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10055.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10056.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10057.TIF@eIMG!或@sIMGCHAR!d10676.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10677.TIF@eIMG!,其中R41每次出现可相同或不同,且为Cl、F、CN、N(R45)2、C1-C25烷基、C4-C18环烷基、C1-C25烷氧基,其中彼此非相邻之一或多个碳原子可以-NR45-、-O-、-S-、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-O-置换,及/或其中一或多个氢原子可以F、C6-C24芳基或C6-C24芳氧基置换,其中一或多个碳原子可以O、S或N置换,及/或其可经以一或多个非芳族基团R41取代,或二或多个基团R41形成一环系统;R42每次出现可相同或不同,且为CN、C1-C25烷基、C4-C18环烷基、C1-C25烷氧基,其中彼此非相邻之一或多个碳原子可以-NR45-、-O-、-S-、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-O-置换,及/或其中一或多个氢原子可以F、C6-C24芳基或C6-C24芳氧基置换,其中一或多个碳原子可以O、S或N置换,及/或其可经以一或多个非芳族基团R41取代,或二或多个基团R41形成一环系统;R44每次出现可相同或不同,且为氢原子、C1-C25烷基、C4-C18环烷基、C1-C25烷氧基,其中彼此非相邻之一或多个碳原子可以-NR45-、-O-、-S-、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-O-置换,及/或其中一或多个氢原子可以F、C6-C24芳基或C6-C24芳氧基置换,其中一或多个碳原子可以O、S或N置换,及/或其可经以一或多个非芳族基团R41或CN取代,或二或多个彼此相邻之基团R44形成一环;R45为H、C1-C25烷基、C4-C18环烷基、C1-C25烷氧基,其中彼此非相邻之一或多个碳原子可以-NR45-、-O-、-S-、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-O-置换,及/或其中一或多个氢原子可以F、C6-C24芳基或C6-C24芳氧基置换,其中一或多个碳原子可以O、S,或N置换,及/或其可经以一或多个非芳族基团R41取代;m每次出现可相同或不同,且为0、1、2或3;n每次出现可相同或不同,且为0、1、2或3;o为1、2,或3,且u为1、2、3或4;A1为C6-C24芳基,C2-C30杂芳基,其可经以一或多个非芳族基团R41取代,或NO2,A2及A3系各自独立地为@sIMGTIF!d10058.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10059.TIF@eIMG!@sIMGCHAR!d10678.TIF@eIMG!,或@sIMGCHAR!d10679.TIF@eIMG!,其中R6、R7、R9及R10系如上述定义;R8为H、C1-C18烷基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷基、C6-C24芳基或C7-C25芳烷基,R14及R15系各自独立地为H、C1-C18烷基、经以E取代及/或插置D之C1-C18烷基、C6-C24芳基、经以E取代之C6-C24芳基或C2-C20杂芳基、经以E取代之C2-C20杂芳基,其中E及D系如上述定义;@sIMGTIF!d10060.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10061.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10062.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10063.TIF@eIMG!@sIMGCHAR!d10680.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10681.TIF@eIMG!,或@sIMGCHAR!d10682.TIF@eIMG!,其中R41及m与n系如上述定义,且p为0、1或2;@sIMGTIF!d10064.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10065.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10066.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10067.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10068.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10069.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10070.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10071.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10072.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10073.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10074.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10075.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10076.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10077.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10078.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10079.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10080.TIF@eIMG!其中X为O、S或NR45,R43为氢原子、C1-C25烷基、C4-C18环烷基、C1-C25烷氧基,其中彼此非相邻之一或多个碳原子可以-NR45-、-O-、-S-、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-O-置换,及/或其中一或多个氢原子可以F、C6-C24芳基或C6-C24芳氧基置换,其中一或多个碳原子可以O、S或N置换,及/或其可经以一或多个非芳族基团R41或CN取代,或彼此邻近之二或多个基团R43及/或R44形成一环;且A1、R41、R42、R44、R45、m、n、o及p系如上述定义;及/或重覆单元T系选自于由以下所组成之组群:@sIMGTIF!d10081.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10082.TIF@eIMG!@sIMGCHAR!d10683.TIF@eIMG!,或@sIMGCHAR!d10684.TIF@eIMG!,其中X1为氢原子或氰基,R41每次出现可相同或不同,且为Cl、F、CN、N(R45)2、C1-C25烷基、C4-C18环烷基、C1-C25烷氧基,其中彼此非相邻之一或多个碳原子可以-NR45-、-O-、-S-、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-O-置换,及/或其中一或多个氢原子可以F、C6-C24芳基或C6-C24芳氧基置换,其中一或多个碳原子可以O、S或N置换,及/或其可经以一或多个非芳族基团R41取代,或二或多个基团R41形成一环系统;n每次出现可相同或不同且为0、1、2或3,及u为1、2、3或4;A1为C6-C24芳基、C2-C30杂芳基,其可经以一或多个非芳族基团R41取代。如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物包含下式之重覆单元:@sIMGCHAR!d10685.TIF@eIMG!及@sIMGCHAR!d10686.TIF@eIMG!,其中R1及R2系各自独立地为C1-C25烷基,其可插置一或多个氧原子,R6及R7为H、卤素、CN、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基,或C6-C14芳基,A1为C6-C24芳基,可经以一或多个非芳族基团R41取代之C2-C30杂芳基,或NO2,及Ar1及Ar2系各自独立地为下式之基团:其中R6为氢、C1-C18烷基或C1-C18烷氧基,且R32为甲基、Cl或OMe。如申请专利范围第1项之聚合物,该聚合物为包含下式之重覆单元的均聚物:@sIMGCHAR!d10688.TIF@eIMG!,其中R1及R2系彼此独立地为C1-C25烷基,其可插置有一或多个氧原子,且Ar1及Ar2系各自独立地为下式之基团:@sIMGCHAR!d10689.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10690.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10691.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10692.TIF@eIMG!或@sIMGCHAR!d10693.TIF@eIMG!,其中R6为氢、C1-C18烷基或C1-C18烷氧基,且R32为甲基、Cl或OMe。如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物包含下式之重覆单元:@sIMGCHAR!d10694.TIF@eIMG!,以及一重覆单元@sIMGCHAR!d10695.TIF@eIMG!,其中R1及R2系各自独立地为C1-C25烷基,其可插置一或多个氧原子,且Ar1及Ar2系各自独立地为下式之基团:@sIMGCHAR!d10696.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10697.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10698.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10699.TIF@eIMG!,或@sIMGCHAR!d10700.TIF@eIMG!,其中-Ar3-系选自于下式之基团:@sIMGCHAR!d10701.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10702.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10703.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10704.TIF@eIMG!,或@sIMGCHAR!d10705.TIF@eIMG!,@sIMGCHAR!d10706.TIF@eIMG!,或@sIMGCHAR!d10707.TIF@eIMG!,其中R6为氢、C1-C18烷基或C1-C18烷氧基,且R32是甲基、Cl或OMe,且R8为H、C1-C18烷基或经以E取代及/或插置D之C1-C18烷基,其中D及E系如申请专利范围第2项之定义。如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物为包含以下的三聚物:式@sIMGCHAR!d10708.TIF@eIMG!之重覆单元,式@sIMGCHAR!d10709.TIF@eIMG!之重覆单元,以及式@sIMGCHAR!d10710.TIF@eIMG!之重覆单元,其中R1及R2系各自独立地为C1-C25烷基,其可插置一或多个氧原子,且Ar1及Ar2系各自独立地为下式之基团:@sIMGTIF!d10083.TIF@eIMG!R6及R7各自独立地为H、卤素、CN、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基或C6-C14芳基,R41为Cl、F、CN、N(R45)2、C1-C18烷基、C1-C18烷氧基或C6-C14芳基,其中R45为H、C1-C25烷基或C1-C25烷氧基,且n为0、1或2。如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物为下式之聚合物:@sIMGCHAR!d10711.TIF@eIMG!,其中R1、R2、Ar1及Ar2系如申请专利范围第1项所定义,T系如申请专利范围第4项所定义,Ar3系如申请专利范围第1项所定义,a为1,b为0或1,c为0.005至1,d为0或1,e为0或1,其中若d为0,则e不是1,f为0.995至0,其中c及f的总和为1。一种电子装置,其包含根据申请专利范围第1至9项中任一项之聚合物。如申请专利范围第10项之电子装置,其中该装置包含一电致发光装置。如申请专利范围第11项之电子装置,其中该电致发光装置包含有:(a)用于注入正电荷载子之电荷注入层;(b)用于注入负电荷载子之电荷注入层;(c)位在层(a)及层(b)之间的发光层,其包含如申请专利范第1至8项中任一项之聚合物。一种如申请专利范围第1至9项中任一项之聚合物在聚合物发光二极体(PLEDs)中的用途。如申请专利范围第10项之电子装置,其中该装置系选自于以下所组成之组群:PLEDs、有机积体电路(O-ICs)、有机场效电晶体(OFETs)、有机薄膜电晶体(OTFTs)、有机太阳能电池(O-SCs)或有机雷射二极体。
地址 瑞士
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