| 主权项 |
一种气体淋板，沿着整个该气体淋板具有排出气体用的多数个排出孔，其特征为该排出孔的每单位面积的个数系依据到该气体淋板中心的距离x的二次曲线来设置，该二次曲线系表示成：y=-0.0173x2+5.3574x+71.517。如申请专利范围第1项之气体淋板，其特征为该气体淋板周边部的该排出孔的孔间隔较中心部的该排出孔的孔间隔为短。如申请专利范围第1项之气体淋板，其特征为该排出孔排列成同心圆状，该气体淋板周边部的该排出孔的孔间隔较中心部的该排出孔的孔间隔为短。一种气体淋板，具有排出气体用的多数个排出孔，其特征为该排出孔在该气体由孔流出之一侧的直径为电浆鞘厚度的2倍以下，该电浆鞘的厚度(d)系：@sIMGCHAR!d10024.TIF@eIMG!，其中mi、me分别系电浆离子质量、电子质量，λD系元件长度，@sIMGCHAR!d10025.TIF@eIMG!，其中，i>ε/i>0系真空的介电系数，k系波兹曼常数，Te系电子温度，ne系电浆的电子密度，e系素电荷量。如申请专利范围第4项之气体淋板，其中，该气体淋板周边部的该排出孔的间隔较中心部的该排出孔的孔间隔为短。如申请专利范围第4项之气体淋板，其中，该排出孔排列成同心圆状，该气体淋板周边部的该排出孔之间隔较中心部的该排出孔的孔间隔为短。如申请专利范围第4项之气体淋板，其中，该排出孔从气体流入孔内那一侧朝该气体由孔流出之一侧的孔径会改变。如申请专利范围第7项之气体淋板，其中，该气体由孔流出之一侧的直径为0.02mm以上，10mm以下。如申请专利范围第8项之气体淋板，其中，该气体淋板的厚度至少有20mm。一种气体淋板，具有排出气体用的多数个排出孔，其特征为该排出孔在气体流入孔内那一侧具有宽度为0.5mm以上，5mm以下的部份，而在该气体由孔流出之一侧具有宽度为0.02mm以上，0.5mm以下的部份的长度为0.2mm到2mm。如申请专利范围第10项之气体淋板，其中，该气体淋板的厚度至少有20mm。如申请专利范围第1项到第11项中任一项之气体淋板，其中，该气体淋板的两个面之中，至少在流出气体那一侧的面并非平坦面。如申请专利范围第12项之气体淋板，其中，该气体淋板在气体流出侧的面的周边部较中央部突出。如申请专利范围第12项之气体淋板，其中，该气体淋板的周边部的厚度较中央部的厚度大。一种气体淋板，具有排出气体用的多数个排出孔，其特征为在该复数排出孔之中的至少有一部分的排出孔的至少在气体流出侧的部分之中心轴，系相对于气体淋板的至少中央部之与被处理物对向的面之法线成倾斜，其中，该中心轴的倾斜系设成使得来自该至少一部份排出孔的气体沿着气体淋板的中心方向，朝向放置被处理物的方向被排出来。一种电浆处理装置，其特征为具有申请专利范围第1项到第11项、第15项中任一项之气体淋板。一种制品的制造方法，其特征是使用申请专利范围第1项到第11项、第15项中任一项之气体淋板来进行处理以制造制品，该制品为半导体装置、液晶显示装置或有机EL显示装置。 |
