发明名称 操作非挥发性储存器之方法及非挥发性储存系统
摘要 在擦除复数个非挥发性储存元件之后,实施一软程式化过程以使该等非挥发性储存元件之擦除临限分布紧密。在软程式化过程期间,系统识别一第一组非挥发性储存元件完成该软程式化所需程式化脉冲之数目及除最后一组以外的所有组非挥发性储存元件完成软程式化所需程式脉冲之数目。该两个数目用于表徵该等非挥发性储存元件之临限分布。临限分布之此表徵及程式脉冲步长之大小系用来限制随后程式化过程中所用验证脉冲之数目。
申请公布号 TWI374446 申请公布日期 2012.10.11
申请号 TW097105962 申请日期 2008.02.20
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 尼马 蒙克雷西
分类号 G11C11/40 主分类号 G11C11/40
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼;楼颖智 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种操作非挥发性储存器之方法,其包括:对复数个非挥发性储存元件实施一第一程式化过程;在该第一程式化过程期间,观察该复数个非挥发性储存元件的行为;及在该第一程式化过程后对该复数个非挥发性储存元件实施一第二程式化过程,该第二程式化过程包含验证作业,该验证作业系在该观察之后动态地被组态且系至少部分地基于该观察。如请求项1之方法,其中:该第一程式化过程为一用于紧密有关于该复数个非挥发性储存元件之一擦除临限分布之软程式化过程。如请求项2之方法,其中:该观察包含基于该第一程式化过程确定该等非挥发性储存元件之一临限电压分布之一近似值,该等验证作业至少部分地基于该临限电压分布之该近似值。如请求项1之方法,其中:该第一程式化过程对该等非挥发性储存元件施加程式化脉冲;该观察包括在该第一程式化过程期间识别一达成一第一结果所需之第一程式化脉冲及在该第一程式化过程期间识别一达成一第二结果所需之第二程式化脉冲;及该第二程式化过程在程式化脉冲之间使用验证脉冲,该验证脉冲系该验证作业的一部分,基于该第一程式化脉冲及该第二程式化脉冲来限制该等验证脉冲。如请求项1之方法,其进一步包括:擦除该复数个非挥发性储存元件,该第一程式化过程为一与该擦除联合实施之软程式化过程,该软程式化过程包含对该复数个非挥发性储存元件施加脉冲;识别一与完成该软程式化之该复数个非挥发性储存元件之一第一组相关联之第一程式化脉冲;及识别一与完成该软程式化之该复数个非挥发性储存元件之所有但除一最后一组外之0或多个外相关联之第二程式化脉冲,该第二程式化过程包含基于该第一程式化脉冲及该第二程式化脉冲来实施验证作业。如请求项1之方法,其进一步包括:擦除该复数个非挥发性储存元件,该第一程式化过程为一与该擦除联合实施之软程式化过程,该软程式化包含对该复数个非挥发性储存元件施加脉冲;识别一与完成该软程式化之该复数个非挥发性储存元件之一第一组相关联之第一程式化脉冲;识别一与完成该软程式化之该复数个非挥发性储存元件之所有但除一最后一组外之0或多个外相关联之第二程式化脉冲;及基于该第一程式化脉冲及该第二程式化脉冲来识别一范围,该第二程式化过程包含基于该范围施加若干验证脉冲。如请求项1之方法,其进一步包括:擦除该复数个非挥发性储存元件,该第一程式化过程为一与该擦除联合实施之软程式化过程,该软程式化包含对该复数个非挥发性储存元件施加脉冲;识别一与完成该软程式化之该复数个非挥发性储存元件之一第一组相关联之第一程式化脉冲;识别一与完成该软程式化之该复数个非挥发性储存元件之所有但除一最后一组外之0或多个外相关联之第二程式化脉冲;及基于该第一程式化脉冲及该第二程式化脉冲来识别验证脉冲之一数目,该第二程式化过程包含在程式化脉冲之间施加多达该数目之脉冲用以验证程式化。如请求项7之方法,其中该在程式化脉冲之间施加多达该数目之验证脉冲以验证程式化包括:(a)针对一状态变化窗之一最低状态,向该复数个非挥发性储存元件之控制闸极施加一脉冲;(b)感测结果;(c)封锁已达到其相应目标之非挥发性储存元件;及针对该窗中之其他状态重复步骤(a)-(c)。如请求项7之方法,其中:该复数个非挥发性储存元件之该第一组精确地由一个非挥发性储存元件组成;及该最后一组之0或多个该等非挥发性储存元件由0个非挥发性储存元件组成。如请求项1之方法,其进一步包括:擦除该复数个非挥发性储存元件,该第一程式化过程为与该擦除联合实施之软程式化过程,该软程式化包含对该复数个非挥发性储存元件施加脉冲;识别一与完成该软程式化之该复数个非挥发性储存元件之一第一组相关联之第一程式化脉冲;识别一与完成该软程式化之该等非挥发性储存元件之所有但除一最后一组外之0或多个外相关联之第二程式化脉冲;基于该第一程式化脉冲及该第二程式化脉冲计算该复数个非挥发性储存元件之一临限分布之一近似值;及基于该临限分布之该近似值及该第二程式化过程之一程式化脉冲步长来计算验证脉冲之一最大数目,该第二程式化过程包含在程式化脉冲之间施加多达该最大数目之验证脉冲用以验证程式化。一种非挥发性储存系统,其包括:复数个非挥发性储存元件;及一个或多个管理电路,其与该复数个非挥发性储存元件连通,该一个或多个管理电路对该复数个非挥发性储存元件实施一第一程式化过程且在该第一程式化过程后对该复数个非挥发性储存元件实施一第二程式化过程,该一个或多个管理电路在该第一程式化过程期间观察该复数个非挥发性储存元件之行为,该第二程式化过程包含验证作业,该验证脉冲系在该第二程式化过程前动态地被组态且系至少部分地基于该该观察。如请求项11之非挥发性储存系统,其中:该第一程式化过程为一用于紧密有关于该复数个非挥发性储存元件之一擦除临限分布之软程式化过程。如请求项12之非挥发性储存系统,其中:该一个或多个管理电路基于该第一程式化过程确定该复数个非挥发性储存元件之一临限电压分布之一近似值,该等验证作业至少部分地基于该临限电压分布之该近似值。如请求项11之非挥发性储存系统,其中:该第一程式化过程包含该一个或多个管理电路对该复数个非挥发性储存元件施加程式化脉冲;该一个或多个管理电路在该第一程式化过程期间确定一获得一第一结果所需之第一程式化脉冲且在该程式化过程期间确定一获得一第二结果所需之第二程式化脉冲;及在该第二程式化过程期间,该一个或多个管理电路在程式化脉冲之间使用该等验证脉冲,该等验证脉冲基于该第一程式化脉冲及该第二程式化脉冲而受限制。如请求项11之非挥发性储存系统,其中:该一个或多个管理电路擦除该复数个非挥发性储存元件,该第一程式化过程为一与该擦除联合实施之软程式化过程,该软程式化包含一个或多个管理电路对该复数个非挥发性储存元件施加脉冲;该一个或多个管理电路识别完成该软程式化之用于该复数个非挥发性储存元件之一第一组之一第一程式化脉冲;该一个或多个管理电路识别完成该软程式化之用于该复数个非挥发性储存元件之所有但除一最后一组外之0或多个外之一第二程式化脉冲;及该一个或多个管理电路基于该第一程式化脉冲及该第二程式化脉冲来识别验证脉冲之一数目,该第二程式化过程包含该一个或多个管理电路在程式化脉冲之间施加多达该数目之验证脉冲用以验证程式化。如请求项15之非挥发性储存系统,其中:该复数个非挥发性储存元件之该第一组精确地由一个非挥发性储存元件组成;及该复数个非挥发性储存元件之该最后一组由0个非挥发性储存元件组成。如请求项11之非挥发性储存系统,其中:该一个或多个管理电路擦除该复数个非挥发性储存元件,该第一程式化过程为一与该擦除联合实施之软程式化过程,该软程式化过程包含该一个或多个管理电路向该复数个非挥发性储存元件施加脉冲;该一个或多个管理电路识别完成该软程式化之用于该复数个非挥发性储存元件之一第一组之第一程式化脉冲;该一个或多个管理电路识别完成该软程式化之用于该复数个非挥发性储存元件之所有但除一最后一组外之0或多个外之第二程式化脉冲;且该一个或多个管理电路基于该等第一程式化脉冲及该第二程式化脉冲来计算该复数个非挥发性储存元件之一临限分布之一近似值;及该一个或多个管理电路基于该临限分布之该近似值及该第二程式化过程之一程式化脉冲步长来计算验证脉冲之一最大数目,该第二程式化过程包含该一个或多个管理电路在程式化脉冲之间施加多达该最大数目之验证脉冲用以验证程式化。如请求项17之非挥发性储存系统,其中:该一个或多个管理电路接收一程式化资料之请求,该请求在确定程式化脉冲之第二数目之后予以接收,该第二程式化过程由该一个或多个管理电路回应于该请求而实施。如请求项11之非挥发性储存系统,其中:该第一程式化过程使该复数个非挥发性储存元件处于一与被擦除相关联之状态;及该第二程式化过程将使用者资料程式化于该复数个非挥发性储存元件中。如请求项11之非挥发性储存系统,其中:该复数个非挥发性储存元件系多状态反及NAND快闪记忆体装置。如请求项11之非挥发性储存系统,其中:该复数个非挥发性储存元件包含快闪记忆体装置。如请求项11之非挥发性储存系统,其中:该复数个非挥发性储存元件系反及NAND快闪记忆体装置。
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