量测在玻璃片中的缺陷之方法

摘要

本发明揭示在大部分测量装置移动最少的制造环境中测量大而薄的非平面镜面基板之表面高度分布的方法。使用安装在常平式上的反射元件来操纵短同调长度的探测光束，使得此探测光束大体上跟基板的局部表面垂直。结合探测光束和参考光束并且使用所产生的干涉图样来将局部表面的缺陷特征化。

主权项

一种显现一基板上一表面缺陷的特征之方法，该包括以下步骤：提供同调辐射光束；提供镜面非平面之基板；将辐射光束分裂成探测光束以及参考光束；使用一第一反射元件拦截并反射该探测光束来垂直照射该基板上包含一表面缺陷的一局部表面，其中该局部表面相对于该探测光束的纵向轴倾斜；使用一第二反射元件拦截并反射该参考光束；收集从该局部表面反射的该探测光束以及从该第二反射元件反射之该参考光束；结合由该第二反射元件反射的该参考光束以及从该局部表面反射的该探测光束，以产生源自于该局部表面的倾斜的第一组干涉条纹以及源自于该表面缺陷的第二组干涉条纹；检测第一组和第二组干涉条纹；使用该第一反射元件操纵该探测光束，以最小化源自于该局部表面的倾斜之干涉条纹的数目；以及使用所检测之源自于该表面缺陷的干涉条纹，显现缺陷的特征。依据申请专利范围第1项之方法，其中该基板厚度为大于该辐射光束之同调长度。依据申请专利范围第1项之方法，其中该检测包含照射一感测器上的二维阵列图素。依据申请专利范围第1项之方法，其中该探测光束横越之光学路径长度实质上等于该参考光束横越之光学路径长度。依据申请专利范围第2项之方法，其中该辐射光束之同调长度小于300微米。依据申请专利范围第5项之方法，其中该基板厚度为小于0.7mm。依据申请专利范围第1项之方法，其中该第一反射元件绕着两个相互垂直轴旋转。依据申请专利范围第1项之方法，其中该辐射光束为雷射光束。依据申请专利范围第1项之方法，其中该基板为透明的。依据申请专利范围第9项之方法，其中该局部表面以及该表面缺陷在该基板上相对于该第一反射元件的一侧。依据申请专利范围第1项之方法，其中该操纵包含对准该探测光束，使得该探测光束之纵向轴实质上垂直于该局部表面。依据申请专利范围第1项之方法，其中更进一步包含平行于该参考光束之纵向中心轴，而平移该第二反射元件。一种显现一基板的一表面高度分布的特征之方法，其包括以下步骤：提供辐射光束，其包含小于约300微米的同调长度；将此辐射光束分裂成探测光束和参考光束；使用一第一反射元件拦截该探测光束；使用该第一反射元件操纵该探测光束，以垂直照射一非平面基板的一镜面局部表面，且其中该探测光束由该局部表面反射；使用该第一反射元件拦截以及反射由该局部表面反射之该探测光束；使用一第二反射元件拦截以及反射该参考光束，使得该探测光束以及该参考光束的光学路径长度大体上相等；收集由该第一反射元件反射的该探测光束以及由该第二反射元件反射的该参考光束；结合反射之该参考光束以及从该第一反射元件反射的该探测光束以产生一干涉图样；在一个二维像素阵列面向上检测该干涉图样；以及使用一相位偏移干涉仪决定该局部表面的一高度分布。依据申请专利范围第13项之方法，其中该第一反射元件藉由一电流计加以操纵。依据申请专利范围第13项之方法，其中该第一反射元件包含一组多个各别操纵之反射镜。依据申请专利范围第13项之方法，其中该第一反射元件包含一常平架。依据申请专利范围第13项之方法，其中该非平坦基板包含第一侧以及第二侧，第一侧为最接近该干涉仪，以及其中该局部表面在第一侧上。依据申请专利范围第13项之方法，其中该非平坦基板包含第一侧以及第二侧，第一侧为最接近该干涉仪，以及其中该局部表面在第二侧上。依据申请专利范围第13项之方法，其中该基板由玻璃所构成。依据申请专利范围第13项之方法，其中该基板厚度为等于或小于0.7mm。依据申请专利范围第13项之方法，其中更进一步包含平行于该参考光束之纵向中心轴而平移该第二反射元件。一种显现一玻璃基板上的缺陷的特征之方法，其包括：提供同调辐射光束；提供一镜面的非平面之基板；将辐射光束分裂成探测光束以及参考光束；使用一第一反射元件拦截该探测光束来照射该基材上包含一表面缺陷之一局部表面，其中该局部表面标称地相对于该探测光束的纵向轴倾斜；使用一第二反射元件拦截以及反射该参考光束；收集从该局部表面反射的该探测光束以及从该第二反射元件反射的该参考光束；结合由该第二反射元件反射的该参考光束以及从该局部表面反射的该探测光束，以产生源自于该局部表面的倾斜的第一组干涉条纹以及源自于该表面缺陷的第二组干涉条纹；检测第一组和第二组干涉条纹；使用第二反射元件操纵探测光束以最小化源自于该局部表面的倾斜之干涉条纹的数目；以及使用所检测之源自于该表面缺陷的干涉条纹，显现缺陷的特征。