| 主权项 |
一种微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，至少包含：提供一模仁，其中该模仁具有相对之一第一表面与一第二表面，且该第一表面设有一图案结构，该图案结构包含复数个凸状部与复数个凹陷部；形成一转印材料层于该些凸状部与该些凹陷部上；设置一可挠性基板于该模仁上，其中该可挠性基板具有相对之一第一表面与一第二表面，且该可挠性基板之该第一表面与该些凸状部上之该转印材料层接触；从该模仁之该第二表面进行一加热步骤，以经由该些凸状部上之该转印材料层局部加热该可挠性基板；利用一滚轮在该可挠性基板之该第二表面上进行一滚印步骤，该转印材料层位于该些凸状部的部分，黏附或压入该可挠性基板经局部加热之受热部分，以使该些凸状部上之该转印材料层转贴于该可挠性基板之该第一表面上；以及移除该滚轮与该模仁，而使该模仁与该些凸状部上之该转印材料层分离。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该可挠性基板之材料为有机材料、塑胶材料、高分子材料、或上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该模仁之材料为矽(Si)、高分子聚合物(polymer)系列材料、有机材料、塑胶材料、半导体材料、金属材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、无机材料、或上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该转印材料层之材料为金属。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该转印材料层之材料为铬(Cr)。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该转印材料层之材料为无机材料、陶瓷材料、半导体材料、有机材料、高分子聚合物(polymer)系列材料、或塑胶材料。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该加热步骤系采用一雷射光式加热源、一灯源照光式加热源、一热电阻式加热源、一涡电流式加热源、一微波加热式加热源或一超音波加热式加热源。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该加热步骤至少包含使该可挠性基板与该转印材料层接触之部分达到玻璃转变温度(Tg)。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该加热步骤至少包含使该可挠性基板与该转印材料层接触之部分达到熔融状态。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中设置该可挠性基板之步骤更至少包含从该模仁之该第二表面对该模仁施加一预压力，以使该可挠性基板之该第一表面与该些凸状部上之该转印材料层紧密接触。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该滚轮之材质为不透光。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该模仁之材料为矽；该可挠性基板之材料为聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)；该加热步骤系采用红外光灯源加热器。如申请专利范围第12项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该加热步骤之加热温度介于90℃与110℃之间。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该模仁之材料为杜邦(DuPont)公司所生产的乙烯-四氟乙烯共聚物(ethylene tetrafluoroethylene)。如申请专利范围第1项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该模仁之材料为具抗沾黏效果的含氟高分子聚合物(polymer)系列材质。一种微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，至少包含：提供一模仁，其中该模仁具有相对之一第一表面与一第二表面，且该第一表面设有一图案结构，该图案结构包含复数个凸状部与复数个凹陷部；形成一抗沾黏膜层于该些凸状部与该些凹陷部上；形成一转印材料层于该抗沾黏膜层上；设置一可挠性基板于该模仁上，其中该可挠性基板具有相对之一第一表面与一第二表面，且该可挠性基板之该第一表面与该些凸状部上之该转印材料层接触；从该模仁之该第二表面进行一加热步骤，以经由该些凸状部上之该转印材料层局部加热该可挠性基板；利用一滚轮在该可挠性基板之该第二表面上进行一滚印步骤，该转印材料层位于该些凸状部的部分，黏附或压入该可挠性基板经局部加热之受热部分，以使该些凸状部上之该转印材料层转贴于该可挠性基板之该第一表面上；以及移除该滚轮与该模仁，而使该些凸状部上之该转印材料层与该模仁上之该抗沾黏膜层分离。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该可挠性基板之材料为有机材料、塑胶材料、高分子材料、或上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该模仁之材料为矽、高分子聚合物系列材料、有机材料、塑胶材料、半导体材料、金属材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、无机材料、或上述材料中任二者或任二者以上所合成之材料。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该转印材料层之材料为金属。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该转印材料层之材料为铬(Cr)。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该转印材料层之材料为无机材料、陶瓷材料、半导体材料、有机材料、高分子聚合物(polymer)系列材料、或塑胶材料。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该加热步骤系采用一雷射光式加热源、一灯源照光式加热源、一热电阻式加热源、一涡电流式加热源、一微波加热式加热源或一超音波加热式加热源。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该加热步骤至少包含使该可挠性基板与该转印材料层接触之部分达到玻璃转变温度(Tg)。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该加热步骤至少包含使该可挠性基板与该转印材料层接触之部分达到熔融状态。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该滚轮之材质为不透光材质。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该滚轮之材质为透光材质。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该滚轮之材料为玻璃、金属、塑胶、高分子聚合物(polymer)系列材料、无机材料、陶瓷材料、半导体材料、或有机材料。如申请专利范围第16项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该模仁之材料为矽；该可挠性基板之材料为聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)；该转印材料层之材料为铬(Cr)；该加热步骤系采用红外光灯源加热器。如申请专利范围第28项所述之微奈米图案直接接触滚印于可挠性基板的方法，其中该加热步骤之加热温度介于90℃与110℃之间。 |
