发明名称 防反射膜形成用组成物、及使用此组成物之光阻图案形成方法
摘要 本发明提供一种防反射膜形成用组成物,其系于光阻膜上形成防反射膜时使用之防反射膜形成用组成物,容易使用,且可形成与使用PFOS之防反射膜同样地具有优良光学特性的防反射膜。;本发明系一种防反射膜形成用组成物,其系用以形成设置于光阻膜上之防反射膜,且包含特定的氟化合物。由于上述特定的氟化合物可有助于提高防反射膜之光学特性,故该防反射膜形成用组成物可形成具有优良的光学特性的防反射膜。
申请公布号 TWI374338 申请公布日期 2012.10.11
申请号 TW097119774 申请日期 2008.05.28
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 泽野敦;越山淳;广崎贵子
分类号 G03F7/11 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种防反射膜形成用组成物,其系用以形成设置于光阻膜上之防反射膜的防反射膜形成用组成物,其包含0.3质量%~10质量%之具有下述通式(1)所表示之结构单元的化合物,@sIMGTIF!d10017.TIF@eIMG![上述通式(1)中,R1及R2分别表示直接键结或亚甲基链,R3及R4系氢原子、碳数为1~10之烷基或-(CH2)n-O-R5-R6所表示之基,R3及R4之至少一者系-(CH2)n-O-R5-R6所表示之基,R5表示直接键结或亦可被-O-中断之碳数为1~10的伸烷基链,R6表示一部分或全部的氢原子经氟原子取代之碳数为1~10的烷基,n表示0~10之整数;此处,R1及R2所具有的碳原子之合计数为1或2]。如申请专利范围第1项所述之防反射膜形成用组成物,其中具有上述通式(1)所表示之结构单元的化合物之质量平均分子量为300以上3000以下。如申请专利范围第1项所述之防反射膜形成用组成物,其中进而包含选自纤维素系聚合物、丙烯酸系聚合物及乙烯系聚合物所组成之群中的至少一种水溶性树脂。如申请专利范围第1项所述之防反射膜形成用组成物,其中进而包含氟系界面活性剂。如申请专利范围第4项所述之防反射膜形成用组成物,其中上述氟系界面活性剂系选自下述通式(2)~(5)所表示之化合物中的至少一种,@sIMGTIF!d10018.TIF@eIMG![上述通式(2)~(5)中,r表示10~15之整数,s表示1~5之整数,t表示2或3,u表示2或3,Rf表示氢原子、或者氢原子的一部分或全部经氟原子取代之碳数为1~16的烷基;该烷基亦可为羟基、烷氧基烷基、羧基或胺基所取代]。如申请专利范围第1项所述之防反射膜形成用组成物,其中进而包含含氮化合物。如申请专利范围第6项所述之防反射膜形成用组成物,其中上述含氮化合物系选自四级铵氢氧化物、烷醇胺化合物及胺基酸衍生物所组成之群中的至少一种。如申请专利范围第7项所述之防反射膜形成用组成物,其中上述烷醇胺化合物系3-胺基-1,2-丙二醇及/或2-胺基-1,3-丙二醇。如申请专利范围第1项所述之防反射膜形成用组成物,其中进而包含水。一种光阻图案形成方法,其系以下述方式得到光阻图案:于基板上形成光阻膜,使用如申请专利范围第1项至第9项中任一项所述之防反射膜形成用组成物,于上述光阻膜上形成防反射膜,经由上述防反射膜而选择性地对上述光阻膜照射光,且视需要进行加热处理,于对照射后之上述光阻膜进行显影处理之前或者进行显影处理时,去除上述防反射膜,从而获得光阻图案。
地址 日本