靶材及其使用于硬碟的记录层材料

摘要

本发明系提供一种靶材及其使用于硬碟的记录层材料，该靶材系以CoPt或CoCrPt或CoCrPtB为主的材料中再添加氧化物组合物所形成，以该靶材于溅镀过程中，制作一高记录容量的硬碟记录层材料，该硬碟记录层材料的主要氧化物是二氧化矽(SiO2)，其含量为4至8原子百分比，且氧化物组合物中至少包含0.8至5原子百分比的氧化铬(Cr2O3)为其主要的技术特征；当中以Cr2O3作为氧的补偿者，于溅镀薄膜过程中，补足所缺失的氧原子；藉由此多氧化物所组合成的靶材及其使用于硬碟的记录层材料，广泛应用于硬碟磁性记录媒体的记录层，可往上提升并提高整体储存媒体的记录容量。

主权项

一种靶材，其系以CoPt、CoCrPt或CoCrPtB为主的材料中再添加氧化物组合物所形成；其中该氧化物组合物包含原子百分比为4%至8%的SiO2；以及原子百分比为0.8%至5%的Cr2O3。如申请专利范围第1项所述之靶材，其中氧化物组合物进一步包含选自于由下列所构成之群组至少之一者：TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、HfO2及其等之组合。如申请专利范围第1项所述之靶材，其中该氧化物组合物进一步包含选自于由下列所构成的群组之物质：Cu、CuO及其等之组合。一种硬碟记录层材料，其使用一种如申请专利范围第1至3项中任一项所述之靶材所溅镀而成，其中该硬碟记录层材料系由以CoPt、CoCrPt或CoCrPtB为主要材料添加氧化物组合物所形成，其中该氧化物组成物包含以整体材料为基准4至8原子百分比的SiO2；以及0.8至5原子百分比的Cr2O3。如申请专利范围第4项所述之硬碟记录层材料，其中氧化物组合物进一步包含选自于由下列所构成之群组至少之一者：TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、HfO2及其等之组合。如申请专利范围第4或5项所述之硬碟记录层材料，其中该氧化物组合物进一步包含选自于由下列所构成的群组之物质：Cu、CuO及其等之组合。如申请专利范围第4或5项所述之硬碟记录层材料，其中该氧化物组合物占整体体积之比率为25至31体积百分比。如申请专利范围第6项所述之硬碟记录层材料，其中该氧化物组合物占整体体积之比率为25至31体积百分比。