| 发明名称 |
透明导电性膜片、透明导电性积层体及具备其之触控式面板 |
| 摘要 |
本发明提供一种透明导电性膜片，其满足作为触控式面板用之高温高可靠性，且具有笔输入耐久性。;本发明之透明导电性膜片于透明之膜片基材之其中一面具有透明导电性薄膜者，透明导电性薄膜系自透明之膜片基材侧依次形成第1透明导电性薄膜与第2透明导电性薄膜而成，上述第1透明导电性薄膜包含SnO2/(SnO2+In2O3)为2~6重量%之铟锡复合氧化物，上述第2透明导电性薄膜包含SnO2/(SnO2+In2O3)超过6重量%、且为20重量%以下之铟锡复合氧化物，上述第1透明导电性薄膜之厚度t1与第2透明导电性薄膜之厚度t2具有以下(1)~(3)关系：(1)t1=10~30 nm、(2)t2=5~20 nm、(3)t1+t2=20~35 nm，且第1透明导电性薄膜与第2透明导电性薄膜均为结晶膜。 |
| 申请公布号 |
TWI374090 |
申请公布日期 |
2012.10.11 |
| 申请号 |
TW099137057 |
申请日期 |
2007.08.16 |
| 申请人 |
日东电工股份有限公司 |
发明人 |
梨木智刚;菅原英男 |
| 分类号 |
B32B7/02 |
主分类号 |
B32B7/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种透明导电性膜片，其特征在于：于透明之膜片基材之其中一面具有透明导电性薄膜，且透明导电性薄膜系自透明之膜片基材侧依序形成第1透明导电性薄膜与第2透明导电性薄膜而成，上述第1透明导电性薄膜包含SnO2/(SnO2+In2O3)为2~6重量%之铟锡复合氧化物，上述第2透明导电性薄膜包含SnO2/(SnO2+In2O3)超过6重量%且为20重量%以下之铟锡复合氧化物，上述第1透明导电性薄膜之厚度t1与第2透明导电性薄膜之厚度t2具有以下(1)~(3)之关系：(1) t1=10~30 nm(2) t2=5~20 nm(3) t1+t2=20~35 nm且上述第1透明导电性薄膜与第2透明导电性薄膜均为结晶膜。如请求项1之透明导电性膜片，其中，上述透明导电性薄膜系自膜片基材侧介隔透明之介电薄膜而设。一种透明导电性积层体，其特征在于：在请求项1或请求项2之透明导电性膜片的透明之膜片基材之另一面，经由黏着剂层贴合有透明基体。如请求项3之透明导电性积层体，其中，于上述透明基体之外表面设有树脂层。一种触控式面板，其特征在于：具备请求项1或2之透明导电性膜片或者请求项3或4之透明导电性积层体。 |
| 地址 |
日本 |
