| 主权项 |
一种封装基板，系包括：基板本体，系具有相对之第一及第二表面，该第一表面上具有线路、复数电镀导线及复数电性接触垫，且该些电镀导线系对应电性导接至各该电性接触垫；防焊层，系形成于该基板本体之第一及第二表面上，且该防焊层形成有复数开孔，以对应露出各该电性接触垫；以及复数金属柱，系接设于各该电性接触垫上，且该些金属柱系藉由该电镀导线电镀形成。如申请专利范围第1项之封装基板，其中，该些开孔对应露出各该电性接触垫之全部表面或部份表面。如申请专利范围第1项之封装基板，其中，该金属柱系为铜材。如申请专利范围第1项之封装基板，复包括表面处理层，系包覆在各该电性接触垫及金属柱上。如申请专利范围第4项之封装基板，其中，该表面处理层系为电镀镍/金(Ni/Au，系先形成镍，之后再形成金)、化学镀镍/金、化镍浸金(Electroless Ni & Immersion Gold,ENIG)、化镍钯浸金(Electroless Nickel/Electroless Palladium/Immersion Gold,ENEPIG)、化学镀锡(Immersion Tin)及电镀锡之其中一者。如申请专利范围第1项之封装基板，其中，该基板本体之第一表面上复具有复数表面元件连接垫，且各该表面元件连接垫电性导接至该电镀导线。如申请专利范围第6项之封装基板，其中，该些开孔复对应露出各该表面元件连接垫。如申请专利范围第6项之封装基板，复包括表面处理层，系包覆在各该表面元件连接垫上。如申请专利范围第1项之封装基板，其中，该基板本体之第二表面上具有复数焊球垫，且该些焊球垫系电性导接至该电镀导线。如申请专利范围第9项之封装基板，其中，该些开孔复对应露出各该焊球垫。如申请专利范围第9项之封装基板，复包括表面处理层，系包覆各该焊球垫。一种封装基板之制法，系包括：提供一基板本体，该基板本体具有相对之第一及第二表面，该第一表面上具有线路、复数电镀导线、复数电性接触垫及表面元件连接垫，而该第二表面上具有线路、复数电镀导线及复数焊球垫；于该基板本体之第一及第二表面上形成防焊层，且于该防焊层中形成有复数开孔，以对应露出各该电性接触垫、表面元件连接垫、焊球垫、电镀导线及部份该线路；于该防焊层上形成第一阻层，以覆盖外露之该线路、电镀导线、各该电性接触垫、表面元件连接垫及焊球垫，且于对应该第一表面上之第一阻层中形成复数第一开口区，以对应露出各该电性接触垫；藉由该电镀导线传导电流，于各该第一开口区中电镀形成金属柱，以直接置于各该电性接触垫上；以及移除该第一阻层。如申请专利范围第12项之封装基板之制法，复包括：于该防焊层上形成第二阻层，以覆盖外露之线路、电镀导线、各该电性接触垫、金属柱、表面元件连接垫及焊球垫，且于该第二阻层中形成复数第二开口区，以对应露出各该电性接触垫、金属柱、表面元件连接垫及焊球垫；于各该电性接触垫、金属柱、表面元件连接垫及焊球垫上形成表面处理层；移除该第二阻层；以及移除各该电镀导线。如申请专利范围第12项之封装基板之制法，其中，该金属柱系为铜材。如申请专利范围第12项之封装基板之制法，其中，该表面处理层系为电镀镍/金(Ni/Au，系先形成镍，之后再形成金)、化学镀镍/金、化镍浸金(Electroless Ni & Immersion Gold,ENIG)、化镍钯浸金(Electroless Nickel/Electroless Palladium/Immersion Gold,ENEPIG)、化学镀锡(Immersion Tin)及电镀锡之其中一者。如申请专利范围第12项之封装基板之制法，复包括以切割该基板本体具有该电镀导线之部份，而移除该电镀导线。如申请专利范围第12项之封装基板之制法，复包括以蚀刻该防焊层之开孔中之该电镀导线，而移除该电镀导线。一种封装基板之制法，系包括：提供一基板本体，该基板本体具有相对之第一及第二表面，该第一表面上具有线路、复数电镀导线、复数电性接触垫及表面元件连接垫，而该第二表面上具有线路、复数电镀导线及复数焊球垫；于该基板本体之第一及第二表面上形成防焊层，且于该防焊层中形成有复数开孔，以对应露出各该电性接触垫、表面元件连接垫、焊球垫、电镀导线及部份该线路；于该防焊层上形成第一阻层，以覆盖外露之该线路、电镀导线、各该电性接触垫、表面元件连接垫及焊球垫，且于对应该第二表面上之第一阻层中形成复数第一开口区，以对应露出各该焊球垫；于各该第一开口区中之焊球垫上形成表面处理层；移除该第一阻层；于该防焊层上形成第二阻层，以覆盖外露之线路、电镀导线、各该电性接触垫、表面元件连接垫及各该焊球垫上之表面处理层，且于该第二阻层中形成复数第二开口区，以对应露出各该电性接触垫；藉由该电镀导线传导电流，于各该第二开口区中电镀形成金属柱，以直接置于各该电性接触垫上；移除该第二阻层；于该防焊层上形成第三阻层，以覆盖外露之该线路、电镀导线、各该电性接触垫、金属柱、表面元件连接垫及各该焊球垫上之表面处理层，且于该第三阻层中形成复数第三开口区，以对应露出各该电性接触垫、金属柱及表面元件连接垫；于各该电性接触垫、金属柱及表面元件连接垫上形成表面处理层；移除该第三阻层；以及移除各该电镀导线。如申请专利范围第18项之封装基板之制法，其中，该金属柱系为铜材。如申请专利范围第18项之封装基板之制法，其中，该表面处理层系为电镀镍/金(Ni/Au，系先形成镍，之后再形成金)、化学镀镍/金、化镍浸金(Electroless Ni & Immersion Gold,ENIG)、化镍钯浸金(Electroless Nickel/Electroless Palladium/Immersion Gold,ENEPIG)、化学镀锡(Immersion Tin)及电镀锡之其中一者。如申请专利范围第18项之封装基板之制法，复包括以切割该基板本体具有该电镀导线之部份，而移除该电镀导线。如申请专利范围第18项之封装基板之制法，复包括以蚀刻该防焊层之开孔中之该电镀导线，而移除该电镀导线。一种封装基板之制法，系包括：提供一基板本体，该基板本体具有相对之第一及第二表面，该第一表面上具有线路、复数电镀导线、复数电性接触垫及表面元件连接垫，而该第二表面上具有线路、复数电镀导线及复数焊球垫；于该基板本体之第一及第二表面上形成第一阻层，以覆盖该线路、电镀导线、各该电性接触垫、表面元件连接垫及焊球垫，且于对应该第二表面上之第一阻层中形成复数第一开口区，以对应露出各该焊球垫；于各该第一开口区中形成表面处理层，以结合于各该焊球垫上；移除该第一阻层；于该基板本体之第一及第二表面上形成防焊层，且于该防焊层中形成有复数开孔，以对应露出各该电性接触垫、表面元件连接垫、表面处理层、电镀导线及部份该线路；于该防焊层上形成第二阻层，以覆盖外露之线路、电镀导线、各该电性接触垫、表面元件连接垫及各该焊球垫上之表面处理层，且于该第二阻层中形成复数第二开口区，以对应露出各该电性接触垫；藉由该电镀导线传导电流，于各该第二开口区中电镀形成金属柱，以直接置于各该电性接触垫上；移除该第二阻层；于该防焊层上形成第三阻层，以覆盖外露之该线路、电镀导线、各该电性接触垫、金属柱、表面元件连接垫及各该焊球垫上之表面处理层，且于该第三阻层中形成复数第三开口区，以对应露出各该电性接触垫、金属柱及表面元件连接垫；于各该电性接触垫、金属柱及表面元件连接垫上形成表面处理层；移除该第三阻层；以及移除各该电镀导线。如申请专利范围第23项之封装基板之制法，其中，该金属柱系为铜材。如申请专利范围第23项之封装基板之制法，其中，该表面处理层系为电镀镍/金(Ni/Au，系先形成镍，之后再形成金)、化学镀镍/金、化镍浸金(Electroless Ni & Immersion Gold,ENIG)、化镍钯浸金(Electroless Nickel/Electroless Palladium/Immersion Gold,ENEPIG)、化学镀锡(Immersion Tin)及电镀锡之其中一者。如申请专利范围第23项之封装基板之制法，复包括以切割该基板本体具有该电镀导线之部份，而移除该电镀导线。如申请专利范围第23项之封装基板之制法，复包括以蚀刻该防焊层之开孔中之该电镀导线，而移除该电镀导线。 |
