| 主权项 |
一种蚀刻方法，其系对包含矽之被处理物进行蚀刻者，其特征在于：实行对温度被设为10℃~50℃之被处理物吹附反应气体之吹附步骤，上述反应气体含有：(a)可将矽进行氧化之氧化性气体、(b)含有0.4vol%以上之氟化氢且具有氧化矽之蚀刻能力的氟系反应物质、(c)与水反应而形成上述氟系反应物质的非自由基之氟系中间物质，且该反应气体中之氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.8。如请求项1之蚀刻方法，其中上述比为(F)/(H)>3。如请求项1之蚀刻方法，其中上述反应气体含有浓度为上述氟化氢之0.4倍以上的COF2作为上述氟系中间物质。如请求项1之蚀刻方法，其中上述反应气体含有1vol%以上之臭氧作为上述氧化性气体。如请求项1之蚀刻方法，其中上述氧化性气体之生成、上述氟系反应物质以及氟系中间物质之生成系分别进行，其后，加以混合而生成上述反应气体。如请求项5之蚀刻方法，其中将含有氧之气体导入至臭氧发生器中，生成臭氧作为上述氧化性气体。如请求项1之蚀刻方法，其中藉由便在不具有与矽之反应性的氟系原料气体中、添加露点达到10℃~40℃之量的水而形成的加湿氟系原料气体，通过大气压附近之电浆空间，而生成上述氟系反应物质以及氟系中间物质。如请求项7之蚀刻方法，其中上述氟系原料气体包含CF4与Ar。如请求项8之蚀刻方法，其中上述添加水之前的氟系原料气体中之CF4为4~90vol%，剩余部分为Ar。如请求项7或8之蚀刻方法，其中上述氟系原料气体包含CF4与N2。如请求项7之蚀刻方法，其中上述添加水之前的氟系原料气体包含4~90vol%之氟系原料及剩余部分，上述剩余部分含有Ar与N2中之至少一者。如请求项7之蚀刻方法，其中上述电浆化后之水的浓度为电浆化前的1/10以下。如请求项7之蚀刻方法，其中形成上述电浆空间之电极系经40℃以上之调温介质来调节温度。如请求项7之蚀刻方法，其中上述露点为10℃~20℃。如请求项1之蚀刻方法，其中将上述被处理物之温度设为10℃~30℃。如请求项1之蚀刻方法，其中将上述被处理物之温度范围之下限设为室内露点来代替10℃。如请求项1之蚀刻方法，其中将上述被处理物之温度设为室温。 |
