发明名称 Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Vertikal nach oben kontaktierendes Halbleitermodul mit einem Schaltungsträger, der ein Substrat mit Kupferleiterbahnen (12) aufweist, einen auf dem Substrat angeordneten Halbleiter und elektrische Kontakte ohne Gewinde, wobei die Kontakte ausgehend von der Kupferleiterbahn (12) als nach oben entgegen der unter der Kupferleiterbahn liegenden Substratseite gerichtete leitfähige Kontaktkörper (16) ausgebildet sind, wobei die Kontaktkörper (16) wenigstens mit Teilbereichen in einer den Halbleiter umgebenden, gespritzten Umhüllungs-Moldmasse (40) befinden und wobei die Kontaktkörper (16) als federnde Metallzungen ausgebildet sind, mit einer eckigen, Omega-förmigen Form mit zwei durch Verbindungstechniken auf der Kupferleiterbahn (12) des Schaltungsträgers befestigten Füßen (18) und zwei Beinen (20), die zusätzlich durch einen definierten Knick (22) besser einfedern können und einem oberen, die beiden Beine verbindenden, nach außen planen, mit der Moldmasse (40) oberflächenbündigen Bereich (24) zum Kontaktieren mit einem Kontaktelement.
申请公布号 DE102008029829(B4) 申请公布日期 2012.10.11
申请号 DE20081029829 申请日期 2008.06.25
申请人 DANFOSS SILICON POWER GMBH 发明人 EISELE, RONALD, PROF. DR.;KOCK, MATHIAS
分类号 H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/07 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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