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Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, en el que un gas de reacción que contiene hidrógenoy un gas que contiene silicio se introducen en un recinto de reacción, y el gas que contiene silicio se descomponetérmicamente en presencia de silicio calentado, y se deposita sobre el silicio, resultando un gas de salida, y este gasde salida se separa en una primera fracción del gas de salida que comprende triclorosilano y unos clorosilanos quehierven a temperaturas más bajas que el triclorosilano, y en una segunda fracción del gas de salida que comprendeunos componentes que hierven a temperaturas más altas que el triclorosilano, y la primera fracción del gas de salidase aporta al gas de reacción de una deposición de silicio policristalino, y la segunda fracción del gas de salida sesepara en tetraclorosilano y en una fracción de compuestos que hierven a altas temperaturas, que se compone decompuestos que hierven a altas temperaturas y eventualmente de tetraclorosilano, caracterizado porque la fracciónde compuestos que hierven a altas temperaturas se aporta al gas de reacción en un reactor de Siemens y el gas dereacción se calienta a una temperatura de 300-590°C, teniendo las barras de silicio, al realizar la conversión químicade los gases de reacción que contienen compuestos que hierven a altas temperaturas, una temperatura de 900 a1.413°C.
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